Tag: galliumnitrid

Welche Materialien erforscht die Elektronik – und welche nicht?

Die Entwicklung funktionaler Materialien ist zentral für die Elektronikindustrie. Doch zwischen Grundlagenforschung und industrieller Umsetzung verlaufen komplexe Prozesse – nicht jede Innovation erreicht die Fertigungslinie oder die Serienreife.

Top 10: Die größten Automotive-Halbleiterunternehmen

Die Nachfrage nach Halbleitern für Elektrofahrzeuge, Fahrerassistenz und vernetzte Systeme treibt 2024 den Automotive-Markt. Zehn Hersteller sichern sich zentrale Positionen – durch technologische Spezialisierung und globale Fertigungsstrategien.

Trends und Technologien der Leistungselektronik

Thermische Analyse von GaN-Hochfrequenzsystemen

Zu hohe Temperatur ist einer der häufigsten Gründe, weshalb Halbleiter zerstört werden. Ohne eine durchdachte thermische Analyse drohen Leistungseinbußen und Bauteilversagen. Welche Methoden wirklich helfen, GaN-HF-Systeme vor dem Hitzetod zu retten?

Warum GaN so interessant für viele Anwendungsbereiche ist

Gallium-Nitrid (GaN) ist nicht nur ein Silizium-Ersatz – es ist der Treibstoff für die Revolution in Leistungselektronik, Mobilität und Industrie 4.0. Die Vorteile: Mehr Power, weniger Verluste, neue Möglichkeiten.

Hybrid-Sinter-Pasten für das Chip-Bonden selbst auf Kupfer

Leistungselektronik aus SiC oder GaN stellt extreme Anforderungen an die Verbindung zwischen Halbleiter und Träger. Hybrid-Sinter-Pasten mit hoher thermischer Leitfähigkeit und verbesserten mechanischen Eigenschaften ermöglichen anspruchsvolle Anwendungen.

Megatonnen Treibhausgasemissionen einsparen

Durch intelligente Leistungselektronik mit neuartigen Galliumnitrid-Halbleitern in Motorsteuerungen will das Fraunhofer-Förderprojekt PowerCare jährlich Megatonnen von Treibhausgasemissionen in Industrie und Mobilität einsparen.

„Die (Halbleiter)-Krise hat beide Seiten zusammengeführt.“

Wie steht es um die Allokation bei Halbleitern? Was tut sich bei Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN)? Welche Bedeutung hat der technische Support bei Leistungshalbleitern? Antworten gibt Wolfram Harnack, Präsident bei Rohm Semiconductor Europe.

Update: Infineon schließt Übernahme von GaN Systems ab

Infineon hat die Übernahme von GaN Systems für 830 Millionen US-Dollar abgeschlossen. Damit beherrscht der Konzern die relevanten Energietechnologien, sei es Silizium, Siliziumkarbid oder Galliumnitrid.

Infineon investiert mehr als zwei Milliarden in neue Fertigung

Mehr als zwei Milliarden Euro investiert Infineon in ein drittes Fertigungsmodul am Standort Kulim in Malaysia. Bei voller Auslastung soll es zwei Milliarden Euro weiteren Jahresumsatz mit Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Produkten ermöglichen.

Maximale Energieeffizienz von Halbleiterschaltern in Spannungswandlern beginnt mit der Wahl der richtigen Halbleitertechnologie

Halbleiterschalter bilden das Fundament von Spannungswandlern. Will man die Energieeffizienz solcher Schaltungen maximieren, muss man die für diese Anwendung bestgeeignete Halbleitertechnologie wählen.

Wo liegen die Design-Herausforderungen bei GaN-Bauelementen für die Stromversorgung?

Wide-Bandgap-Halbleiter sind der Schlüssel für energieeffizientere, kleinere, leichtere und letztlich auch kostengünstigere Stromversorgungslösungen. Bei Power-Delivery-Schaltungen richtet sich das Augenmerk nun immer mehr auf Galliumnitrid (GaN).

Packaging und Test von GaN Leistungselektronik

Hochleistungselektronik ist heutzutage einer der großen Wachstumsmärkte der Elektronikindustrie. Elektromobilität, Miniaturisierung und Effizienzsteigerung treiben die Entwicklung von neuen Materialsystemen wie Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) voran. Neue Materialien mit bisher unerreichten Eigenschaften erfordern aber auch neue Entwicklungen im Bereich des Packaging und des Testens.

Galliumnitrid zur Stromversorgung von Kleinsatelliten im LEO

Mit der Verfügbarkeit von GaN-FETs im Enhancement Mode sowie strahlungstoleranten PWM-Controllern und GaN-FET-Treibern lassen sich PWM-Anwendungen mit GaN-Bauelementen für den Einsatz im Orbit realisieren.

„Durch Galliumnitrid gewinnt man einen Freiheitsgrad hinzu“

Seit zehn Jahren werden auf der PCIM Europe Konferenz herausragende Erstveröffentlichungen junger Ingenieure aus der Leistungselektronik mit dem Young Engineer Award ausgezeichnet. In diesem Jahr setzte der 29-jährige Forschungsingenieur und Doktorand Franz Stubenrauch bei seiner Präsentation auf der PCIM-Europe-Konferenz auf Galliumnitrid: Mit seinem Paper zu „Design und Performance eines 200 kHz-GaN-Motor-Inverters“ überzeugte er die Jury der Konferenz-Direktoren und durfte eine der begehrten Auszeichnungen mit nach Hause nehmen. all-electronics.de hat sich mit Franz Stubenrauch über das Potenzial des Halbleitermaterials unterhalten.

Wide-Bandgap-Halbleiter übernehmen die Leistungselektronik

Seit über 50 Jahren nimmt Silizium die führende Rolle in der Leistungselektronik ein. Die Ausgereiftheit der Silizium-Halbleitertechnologie hat dazu geführt, dass Leistungsbauelemente auf Silizium-Basis kostengünstig, in großen Stückzahlen und mit hoher Zuverlässigkeit herstellbar sind. In der Leistungselektronik erreicht das Material jedoch aufgrund steigender Ansprüche an Leistungsschaltkreise seine Grenzen und wird immer mehr von Materialien mit höheren Energie-Bandlücken verdrängt.

Schnelltaktende DC/DC-Wandler für die Luftfahrt

Im Projekt GaN-resonant haben Freiburger Forscher vom Fraunhofer ISE gemeinsam mit Projektpartnern einen resonanten Spannungswandler speziell auf die Anforderungskriterien der Luftfahrtelektronik entwickelt. Die im Projekt erzielten Ergebnisse lassen sich zukünftig auf weitere Anwendungen übertragen.

GaN-Halbleiter sind im Kommen

Der große Aufschwung von Siliziumkarbid bleibt nicht ohne Verfolger. So sind Galliumnitrid-Halbleiter auch in Materialpaarungen wie GaN-on-Si zunehmend im kommen. Der nachfolgende Beitrag gibt Einblicke in einige GaN-Neuentwicklungen.

IR gehört jetzt zu Infineon

Die Infineon Technologies AG hat die Akquisition von International Rectifier erfolgreich abgeschlossen.

Weiße LEDs mit Galliumnitrid auf Silizium senken die Kosten

Der hohe Preis für LEDs liegt unter anderem an der aufwändigen Herstellung mit Galliumnitrid (GaN) auf Saphirsubstrat. Kostengünstiger sind Siliziumwafer als Träger. Toshiba hat seine GaN-auf-Silizium-Prozesstechnologie inzwischen soweit entwickelt, dass die weißen LEDs konkurrenzfähige Eigenschaften aufweisen und preiswertere Innen- und Außenbeleuchtungen versprechen.