Themen-Special ROHM – Effizienz & Miniaturisierung

Strategische Partnerschaft für Halbleiterfertigung in Indien

Rohm & Tata starten Halbleiter-Partnerschaft in Indien

Rohm und Tata Electronics bündeln ihre Kompetenzen für eine neue Halbleiterproduktion in Indien. Mit Leistungshalbleitern, Assembly und Test entsteht ein bedeutender Baustein für lokale Wertschöpfung, technologische Souveränität und globale Relevanz.

Diemut Baldauf

13. January 2026

Themen-Special ROHM – Effizienz & Miniaturisierung

ROHM: Technologie, Effizienz, Miniaturisierung

Rohm & Tata starten Halbleiter-Partnerschaft in Indien

PWM-Controller-ICs für anpassbare Hilfsstromversorgungen

SiC-Leistungsbauelemente für Wechselrichtermodule

GaN-HEMT-Schaltungstopologien für hochauflösendes LiDAR

ROHM leistet digitale Pionierarbeit im Schaltkreisdesign

Erfolgreiche Null-Fehler-Strategie in der Halbleiterfertigung

Halbleiter- und Systemkompetenz für Automobilprodukte erfüllen funktionale Sicherheitsanforderungen

ROHM stärkt europäischen Markt durch maßgeschneiderten Kundensupport

Wie ROHM komplexe Herausforderungen im technischen Support meistert

Rohm und Toshiba kooperieren bei Leistungshalbleitern

ROHM entwickelt ultraschnelle Pulssteuertechnologie

Wie lässt sich eine Smart Factory sorgenfrei betreiben?

Power-PMIC ist ein Innovationstreiber

Chiphersteller haben funktionale Sicherheit im Fokus

Ultraschneller Analog-IC gibt in der Industrie den Takt an

Produktionsanlagen von ROHM sind 'state of the art'

Neues System zur Produktion von Halbleitern schafft Sicherheit

ROHMs Kernkomponenten für Smarte Technologien

Leistungsumwandlung für E-Autos mit deutlich verbesserter Effizienz

Integration des EV-Ladesystems in PV-Anlagen mithilfe von SiC-MOSFET-Modulen

Rohm erwirbt Produktionsstätte in Japan

Vitesco und Rohm unterzeichnen langfristige SiC-Lieferpartnerschaft

Bauelemente für den kurzwelligen IR-Bereich von Rohm

Rohm will SiC-Produktion enorm ausbauen

Primäre LDO-Regler von Rohm

Vorteile integrierter 1700-V-Flyback-Controller mit SiC-MOSFET

Stromversorgungsschaltungen mit nachhaltigem Design

Gate-Treiber für IGBT- und SiC-MOSFETs im E-Auto

Hidden Champions der Elektronik: Dickschicht-Shunt-Widerstände

SiC-Kooperation zwischen Semikron und Rohm

PMICs ermöglichen flexible Stromversorgung für Prozessoren und Peripherie

Rohm bietet Hybrid-IGBTs mit integrierter SiC-Diode

Siliziumkarbid (SiC) und Silizium (Si) mit derselben Gate-Treiber-Serie ansteuern: Sicherheit und Effizienz auf Systemebene

Christian André, Rohm: SiC löst viele Probleme

Rohm: SiC-MOSFETs der 4. Generation senken RDS(on) um 40 Prozent

IGBT-Hochvoltheizer klimatisiert E-Autos und konditioniert Batterien

Mit Analog-Front-Ends Sensoren unkompliziert integrieren

DC/DC-Konverter mit hohem Wandlungsverhältnis für MHEVs

Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) auf der Überholspur

03015-Expertise im Schablonendruck

LDOs und DC/DC-Wandler mit niedriger Ruhestromaufnahme

Effizienter AC/DC-Wandler-IC

Verbesserte Stromtragfähigkeit durch SiC-MOS-Module

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