Themen-Special ROHM – Effizienz & Miniaturisierung

Rohm, Toshiba und Mitsubishi Electric prüfen laut Nikkei eine Bündelung ihrer Leistungshalbleiter Aktivitäten.

Rohm, Toshiba und Mitsubishi Electric prüfen Bündelung bei Leistungshalbleitern

Rohm, Toshiba und Mitsubishi Electric wollen laut Nikkei Gespräche über eine Zusammenlegung ihrer Leistungshalbleiter-Aktivitäten aufnehmen. Entstehen könnte der weltweit zweitgrößte Anbieter hinter Infineon.

Nicole Ahner

31. März 2026

Themen-Special ROHM – Effizienz & Miniaturisierung

ROHM: Technologie, Effizienz, Miniaturisierung

Rohm, Toshiba und Mitsubishi Electric prüfen Bündelung bei Leistungshalbleitern

Rohm erweitert Kapazitäten für GaN-Leistungsbauelemente

Rohm & Tata starten Halbleiter-Partnerschaft in Indien

PWM-Controller-ICs für anpassbare Hilfsstromversorgungen

SiC-Leistungsbauelemente für Wechselrichtermodule

GaN-HEMT-Schaltungstopologien für hochauflösendes LiDAR

ROHM leistet digitale Pionierarbeit im Schaltkreisdesign

Erfolgreiche Null-Fehler-Strategie in der Halbleiterfertigung

Halbleiter- und Systemkompetenz für Automobilprodukte erfüllen funktionale Sicherheitsanforderungen

ROHM stärkt europäischen Markt durch maßgeschneiderten Kundensupport

Wie ROHM komplexe Herausforderungen im technischen Support meistert

Rohm und Toshiba kooperieren bei Leistungshalbleitern

ROHM entwickelt ultraschnelle Pulssteuertechnologie

Wie lässt sich eine Smart Factory sorgenfrei betreiben?

Power-PMIC ist ein Innovationstreiber

Chiphersteller haben funktionale Sicherheit im Fokus

Ultraschneller Analog-IC gibt in der Industrie den Takt an

Produktionsanlagen von ROHM sind 'state of the art'

Neues System zur Produktion von Halbleitern schafft Sicherheit

ROHMs Kernkomponenten für Smarte Technologien

Leistungsumwandlung für E-Autos mit deutlich verbesserter Effizienz

Integration des EV-Ladesystems in PV-Anlagen mithilfe von SiC-MOSFET-Modulen

Rohm erwirbt Produktionsstätte in Japan

Vitesco und Rohm unterzeichnen langfristige SiC-Lieferpartnerschaft

Bauelemente für den kurzwelligen IR-Bereich von Rohm

Rohm will SiC-Produktion enorm ausbauen

Primäre LDO-Regler von Rohm

Vorteile integrierter 1700-V-Flyback-Controller mit SiC-MOSFET

Stromversorgungsschaltungen mit nachhaltigem Design

Gate-Treiber für IGBT- und SiC-MOSFETs im E-Auto

Hidden Champions der Elektronik: Dickschicht-Shunt-Widerstände

SiC-Kooperation zwischen Semikron und Rohm

PMICs ermöglichen flexible Stromversorgung für Prozessoren und Peripherie

Rohm bietet Hybrid-IGBTs mit integrierter SiC-Diode

Siliziumkarbid (SiC) und Silizium (Si) mit derselben Gate-Treiber-Serie ansteuern: Sicherheit und Effizienz auf Systemebene

Christian André, Rohm: SiC löst viele Probleme

Rohm: SiC-MOSFETs der 4. Generation senken RDS(on) um 40 Prozent

IGBT-Hochvoltheizer klimatisiert E-Autos und konditioniert Batterien

Mit Analog-Front-Ends Sensoren unkompliziert integrieren

DC/DC-Konverter mit hohem Wandlungsverhältnis für MHEVs

Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) auf der Überholspur

03015-Expertise im Schablonendruck

LDOs und DC/DC-Wandler mit niedriger Ruhestromaufnahme

Weitere Artikel aus unserem Netzwerk - automotiveit.eu

Zeekr 7X, Xpeng G9, Porsche Cayenne Electric und BMW iX3

Wer beherrscht das digitale Elektro-SUV?

Studie von Bechtle und Fortinet

Ein neues Betriebssystem für die IT

Technologischer Wandel

Deutsche sehen digitale Innovationen als Chance für Autobranche

Level-3-Systeme sollen 2027 serienreif sein

Volkswagen darf hochautomatisiertes Fahren in China testen

Was mich bewegt – Der Automotive-Podcast

Audi goes America: Kann das neue US-Werk die Krise stoppen?

Softwaredefinierte Fahrzeuge

Valeo und Anritsu verlagern Fahrzeugtests in die Cloud

Individueller Nahverkehr

TU Graz entwickelt autonomen On-Demand-Bus

Mobility als GmbH

Bosch ordnet Konzernstruktur neu

Audi leitet „OneTeam“ mit Cariad

Darum ordnet Volkswagen die ADAS-Entwicklung neu

Modernisierung der Konzern-IT

BMW ersetzt 30 Jahre altes IT-System für 15.000 Server