Tag: gan

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Die wichtigsten Abkürzungen im Bereich Halbleiter und elektronische Bauelemente

Dieser Beitrag erklärt eine Fülle von Abkürzungen aus dem Bereich Halbleiter und elektronische Bauelemente. Dabei geht es im Schwerpunkt um Halbleiter‑Technologien und ‑Materialien, Sensoren & Aktuatoren, Optoelektronik, ICs und physikalische Begriffe.

Redaktion

2. October 2025

Thementag „Power“ zu aktivem Thermomanagement, GaN & Co.

Wie GaN und Kühlung die Leistungselektronik vorantreiben

Beim unserem Digitalen Thementag „Power“ gab es Einblicke in aktuelle Trends der Leistungselektronik – mit einem Schlaglicht auf GaN, SiC und innovatives Wärmemanagement. Welche Lehren sich jetzt schon ziehen lassen.

Dr. Martin Large

5. August 2025

300-mm-Fertigung läuft nach Plan

Infineon stärkt Position im GaN-Markt

Fast ein Jahr nach Ankündigung des Durchbruchs bei der 300-mm-GaN-Wafer-Technologie liegt Infineon mit der Umsetzung der Fertigung voll im Plan. Die Fertigung soll der steigenden Nachfrage nach Galliumnitrid-Halbleitern begegnen.

Jessica Mouchegh

7. July 2025

Mobile Geräte optimiert laden

Batterielader: Welche Topologie überzeugt technisch

Fortschritte bei SiC- und GaN-Komponenten verbessern die Leistungsdichte von Batterieladern und machen sie robuster. Ladezeiten, Bauformen und Wirkungsgrad lassen sich nur dann optimieren, wenn Entwickler auch die beste Topologie für den Praxisfall wählen.

Prasad Paruchuri

30. June 2025

Elektronik-Branchentreffen in Nürnberg

PCIM 2025: Highlights der Power-Messe

Als Leitmesse für Leistungselektronik bietet die PCIM Europe 2025 einen umfassenden Überblick über aktuelle Technologietrends. Wir haben uns umgeschaut und uns einen Eindruck vom Messegeschehen gemacht. Die Highlights von der PCIM 2025 hier.

Martin Probst

7. May 2025

Neue Technologien für effiziente Leistungselektronik

PCIM Europe 2025: Das sind die Highlights

Auf der PCIM Europe 2025 dreht sich alles um SiC, GaN, intelligente Energiesysteme und neue Lösungen für Antriebstechnik. Die Leitmesse der Leistungselektronik zeigt, wohin sich die Branche bewegt – wir fassen die wichtigsten Highlights zusammen.

Lukas Mandel

28. April 2025

GaN wird zur umfassenden Technologielösung

Warum GaN so interessant für viele Anwendungsbereiche ist

Gallium-Nitrid (GaN) ist nicht nur ein Silizium-Ersatz – es ist der Treibstoff für die Revolution in Leistungselektronik, Mobilität und Industrie 4.0. Die Vorteile: Mehr Power, weniger Verluste, neue Möglichkeiten.

Dr. Denis Marcon

27. January 2025

Die großen Drei – Wettstreit der Halbleitertechnologien

Diese Trends bewegen die Welt der On-Board-Ladegeräte

Die nächste Generation von On-Board-Ladegeräten braucht neue Leistungshalbleiter. Ein intelligenter Einsatz dieser Technologien spielen dabei eine wichtige Rolle. Ebenso muss geklärt werden, welche Halbleitertechnologien für OBCs geeignet sind.

Rafael Garcia Mora

28. November 2024

Boom in den nächsten Jahren – trotz Hürden

Leistungselektronik: Prognosen, Chancen und Risiken bis 2029

Der Markt für Leistungselektronik explodiert: bis 2029 soll er 35,7 Milliarden US-Dollar betragen. Doch zwischen rasantem Wachstum und überfüllten Produktionskapazitäten stehen die Zeichen auf Wandel.

Dr. Martin Large

17. September 2024

Infineon treibt 300-mm-GaN-Technologie voran

Halbleiter-Milestone: Infineon zeigt ersten 300mm-GaN-Wafer

Mit der Entwicklung der weltweit ersten 300-mm-GaN-Wafer erreicht Infineon einen technologischen Meilenstein. Diese Innovation ermöglicht eine effizientere, skalierbare Halbleiterproduktion und ebnet den Weg für kostengünstigere Elektronik.

Jessica Mouchegh

13. September 2024

Neue Entwicklungen im schwelenden Streit um GaN

Infineon erzielt Etappensieg im Patentstreit mit Innoscience

Infineon hat im Patentstreit mit Innoscience vor dem Landgericht München I einen Teilerfolg erzielt. Das Urteil betrifft Herstellung- sowie Vertrieb zentraler GaN-Produkte des chinesischen Wettbewerbers. Zu den Hintergründen der Geschichte.

Dr. Martin Large

26. June 2024

Höherer Wirkungsgrad durch Wide-Bandgap-Materialien

Infineons GaN-Lösungen ermöglichen V2X-Ladesystem

Basierend auf Infineons CoolGaN-Technologie ist das V2X-Ladesystem von Omron deutlich kleiner und leichter als vergleichbare Lösungen. Es vereinfacht das Laden von Elektrofahrzeugen und überwindet damit eine der größten Hürden bei deren Einführung.

Jessica Mouchegh

22. January 2024

ROHM entwickelt ultraschnelle Pulssteuertechnologie

48-V-Stromversorgungssysteme sind in der Industrie bereits weit verbreitet: etwa in der Notstromversorgung von Basisstationen, Industrierobotern und Gabelstaplern. Nun halten sie auch Einzug in den Automobilbereich.

ROHM Redaktion

6. December 2023

Ultraschneller Analog-IC gibt in der Industrie den Takt an

Schnelle Analog-LSI und GaN-Leistungsbausteine in Kombination erhöhen die Leistung, senken den Stromverbrauch bei gleichzeitiger Reduktion der Elektronik-Bauteile. Das verspricht mehr Nachhaltigkeit in der industriellen Automation oder für das autonome Fahren.

Sabine Spinnarke

27. November 2023

Keine Dekarbonisierung ohne Leistungshalbleiter

Leistungshalbleiter (Si/SiC/GaN) sind Schlüsselbauelemente

Auf dem 27. Automobil-Elektronik-Kongress gab Jochen Hanebeck, CEO von Infineon, ein klares Bild rund um den Einsatz von Leistungshalbleitern in Fahrzeugen – von Silizium über SiC bis GaN. Auch das Kapazitätenproblem thematisierte er.

Alfred Vollmer

22. August 2023

No decarbonization without power semiconductors

Power semiconductors (Si/SiC/GaN) are key components

At the 27th Automobil-Elektronik Kongress, Jochen Hanebeck, CEO of Infineon, gave a clear picture around the use of power semiconductors in vehicles–from silicon to SiC to GaN. He also addressed the capacity problem.

Alfred Vollmer

16. August 2023

Halbleiter, Bauelemente und Systemtechnologie für die 800-V-Klasse

Projekt GaN4EmoBiL: E-Autos als mobile Stromspeicher

Das Projekt GaN4EmoBiL forscht an bidirektionalen Ladelösungen, mit den die Batterien parkender Elektrofahrzeuge als mobile Stromspeicher dienen können. Ziel ist die Entwicklung einer kostengünstigen GaN-Technologie auf alternativen Substraten.

Jessica Mouchegh

8. August 2023

Mehr Publikum – mehr Fachwissen – mehr Networking

PCIM 2023 zeigt klar: Leistungselektronik gefragter denn je

"Die PCIM Europe 2023 weiter auf Erfolgskurs". So überschreibt der Veranstalter seine Zusammenfassung der Messe. Und als Besucher muss man ihm recht geben, wie Zahlen und Bilder zeigen.

Dr. Martin Large

17. May 2023

Neuerungen bei passiven Bauelementen

Hohe Leistungsdichte für energieintensive Systeme

Die Stromwandler, die Server in Rechenzentren und intelligente Fahrzeuge versorgen, müssen in der Lage sein, große Leistung auf kleinerem Raum zu verarbeiten. Neue Materialien und Schaltungstopologien können bei der Entwicklung solcher Bauteile helfen.

Peter A. Blais

17. March 2023

Warum Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Halbleiter so wichtig für das E-Fahrzeug sind

Wide-Bandgap-Technologien (SiC und GaN) für nachhaltige EVs

Warum erhöhen Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid-Halbleiter (GaN) die Effizienz in E-Fahrzeugen signifikant im Vergleich zu Silizium-Halbleitern? Dieser Beitrag gibt die Antwort.

Hans Adlkofer und Dirk Geiger

28. September 2022

So lassen sich Designs mit Wirkungsgrade bis 99 % realisieren

Mittels Driver-GaN 80-Plus-Titanium-Netzteilen einfach entwickeln

GaN-basierte High-Electron-Mobility-Transistoren (HEMT) bieten eindeutig Vorteile bei anspruchsvollen Anwendungen mit hohem Wirkungsgrad. Wie sich GaN-Bauelemente am einfachsten ansteuern lassen, beschreibt der Fachbeitrag.

Yong Ang

29. April 2022

Temperatur-Challenge 5G

Warum 5G den Markt für Wärmemanagement-Materialien pusht

Mit dem massiven Ausrollen von 5G-Technologien können sich Hersteller von TIMs auf einen wachsenden Markt freuen. Aber neue Technologien wie GaN und dicht gepackte mmWave-Geräte bringen auch viele Herausforderungen für das Thermomanagement mit sich.

Nicole Ahner

12. April 2022

SiC und GaN: Die nächste Revolution in der Leistungselektronik

Leistungselektronik: Wide-Bandgap-Halbleiter aus SiC und GaN

Die nächste Revolution in der Leistungselektronik steht vor der Tür: Die aufstrebenden WBG-Halbleiter aus SiC und GaN werden dazu beitragen, die Leistungselektronik der Zukunft für verschiedenste Anwendungen effizienter und kompakter zu gestalten.

Ajay Hari und Jon Harper

12. November 2021

Hoher Wirkungsgrad mit SiC-FETs

Leistungsumwandlung im E-Auto: Topologie- und Bauelementeauswahl

Wide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN machen den Weg frei für einen hohen Wirkungsgrad. Der Beitrag erörtert die Eigenschaften dieser Komponenten im Vergleich zu Alternativen wie SiC-FETs.

Anup Bhalla

18. October 2021

Wettbewerb der WBG-Bauelemente

So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren

Verbindungshalbleiter mit großer Bandlücke lösen in einigen Bereichen der Elektronik Silizium immer mehr ab. Besonders etabliert haben sich in den letzten Jahren Bauelemente auf Galliumnitrid- und Siliziumkarbid-Basis. Doch wo liegen die grundlegenden Unterschiede zwischen beiden und welche Vorteile bieten sie im Automotive-Bereich?

Dr.-Ing. Nicole Ahner (nach Unterlagen von Onsemi)

16. September 2021

Hohe Kühlleistung bei minimalem Druckverlust

Mersen stellt Flüssigkeits-Kühlkörper für Leistungsmodule vor

Die Isomaxx-Kühlkörper von Mersen bieten eine hohe Kühlleistung bei minimalem Druckverlust. Sie erfüllen die hohen Anforderungen aktueller Leistungselektronik und wurden speziell für SiC-, GaN- oder IGBT-Leistungsmodule entwickelt.

Nicole Ahner

14. July 2021

Zuverlässigkeit und Schutz bei hohen Busspannungen

Leistungshalbleiter in EV-Ladegeräten sicher einsetzen

Ladelösungen mit hoher Leistungsdichte setzen heute auf IGBT-, SiC- und GaN-basierte Leistungswandler die im Megahertz-Bereich schalten. Mit immer höheren Leistungs- und Spannungswerten kommt es dabei darauf an, Menschen und Anlagen vor gefährlichen Betriebszuständen zu schützen.

Jayanth Rangaraju, Harish Ramakrishnan

12. March 2021

Effizienter Wandeln

Mit der passenden Synchron-Gleichrichter-Technologie die Marktanforderungen erfüllen

Synchron-Gleichrichter-(SR-) Controller erhöhen bei Stromversorgungen den Wirkungsgrad der Leistungsumwandlung. Was ihre Vorteile sind und wie sie Entwicklern von Stromversorgungen das Leben erleichtern können.

Youngku An, Muzaffer Albayrak

25. February 2021

Nach den Regeln der Technik

Vorschriften für den Wirkungsgrad und die EMV von Netzteilen

Alle Stromversorgungen müssen sicher für Anwender sein, daneben spielen aber auch noch Eigenschaften wie Wirkungsgrad und EMV eine Rolle bei der Anwendungsentwicklung. Alles zu kombinieren, ist jedoch nicht immer einfach.

Ron Stull

15. February 2021

Kostengünstige Powerlösungen für KMUs

Packaging und Test von GaN Leistungselektronik

Hochleistungselektronik ist heutzutage einer der großen Wachstumsmärkte der Elektronikindustrie. Elektromobilität, Miniaturisierung und Effizienzsteigerung treiben die Entwicklung von neuen Materialsystemen wie Galliumnitrid (GaN) oder Siliziumkarbid (SiC) voran. Neue Materialien mit bisher unerreichten Eigenschaften erfordern aber auch neue Entwicklungen im Bereich des Packaging und des Testens.

Uwe Bruckdorfer, Wolfgang Kemmler, Christian Remmele, Dr. Björn Hoffmann

2. February 2021

Charakterisierung von schnellen Leistungshalbleitern

Der Einfluss der Doppelpulstestsystem-Vorrichtungen

Es ist nicht mehr möglich, Leistungswandler zu entwickeln und zu messen, ohne Hochfrequenzeffekte zu berücksichtigen. Wie müssen DPT-Vorrichtungen designt sein, um wiederholbare und zuverlässige Ergebnisse zu erhalten?

Ryo Takeda, Bernhard Holzinger, Mike Hawes

30. June 2020

Si oder Wide-Bandgap?

SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist

Damit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen – manchmal ist Si auch die bessere Wahl.

Gerald Zipfel, Francesco Di Domenico

1. April 2020

GaN: Kleiner, schneller und leistungsfähiger als Silizium

48 V, Lidar, Motorsteuerung: GaN erobert leistungshungrige Anwendungen

Entwickler evaluieren den Einsatz von GaN-Bauteilen in kostensensitiven Anwendungen wie Stromversorgungen oder im Automotive-Bereich. Denn in einer starken Wertschöpfungskette konnten die Produktionskosten für den Wide-Bandgap-Halbleiter gesenkt werden.

Tobias Herrmann, Jieyi Zhu

23. March 2020

Neue Testvorschriften für Leistungshalbleiter

Wo die Probleme beim Langzeiteinsatz von SiC und GaN liegen

Wide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN bieten viele Vorteile im E-Auto, dennoch ist die Branche äußerst zurückhaltend bei ihrem Einsatz. Prof. Leo Lorenz von Infineon erklärt, wo das wirkliche Problem beim Langzeiteinsatz liegt.

Gunnar Knuepffer

10. February 2020

Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt.

Dr. Gerald Deboy, René Mente

25. March 2019

Innovationstreiber Galliumnitrid

Wie GaN-Halbleiter Größe, Gewicht und Kosten des E-Autos reduzieren

Der Markt für Elektrofahrzeuge wächst zehnmal schneller als sein Pendant bei den Verbrennungsmotoren, wofür auch verbesserte Batterie- und Elektroniksysteme sowie Systemkomponenten verantwortlich sind. Welche Stellung dabei der Wide-Bandgap-Halbleiter GaN einnehmen soll, erklärt der Beitrag auf All-Electronics.de.

John Wilson, Philip Zuk

25. January 2019

Durch Synchrongleichrichter-Controller

USB-PD-Herausforderungen meistern

Die USB-Schnittstelle ist heute nahezu universell und zudem in der Lage, Energieversorgung und Daten über dasselbe Kabel bereitzustellen. Die Art und Weise ist dabei so ausgefeilt, dass sie fast alle anderen Verbindungsmöglichkeiten zwischen Consumer-Geräten zumindest technisch, wenn nicht auch wirtschaftlich, fast überflüssig macht.

Yong Ang

10. December 2018

Brückenlose Leistungsfaktorkorrektur bei Lasten bis 1 kW

PFC-Entwicklungsboard mit hohem Wirkungsgrad

Future Electronics hat seine GaN-basierte Entwicklungsplattform „Gandalf“ auf der Electronica in München vorgestellt.

Redaktion

16. November 2018

SiC, GaN, Elektromobilität und mehr

Highlights von der PCIM Europe 2018

Erstmals konnte die PCIM Europe in ihrem 40. Jahr mehr als 500 Aussteller anziehen. Mehr als 11.000 Besucher nutzen die Gelegenheit, sich über die aktuellsten Trends und Entwicklungen in der Leistungselektronik zu informieren. 506 ausstellende Unternehmen sowie 88 vertretene Firmen auf einer Fläche von 23.500 Quadratmeter zeigten ihre aktuellsten Produkte auf der PCIM.

Dr.-Ing. Nicole Ahner

4. July 2018

Wide-Bandgap-Halbleiter durchbrechen Barrieren

GaN- und GaAs erhöhen Leistung und Bandbreite von HF-Verstärkern

Höhere Datenraten in Telekommunikationsanwendungen und Industriesystemen mit höherer Auflösung lassen die Arbeitsfrequenzen der darin enthaltenen Elektronikschaltungen in die Höhe schnellen. GaAs- und GaN-Transistoren mit kürzeren Gate-Längen in Verbindung mit verbesserten Techniken zur Entwicklung von Schaltkreisen ermöglichen Bausteine, die gut bei Frequenzen im Millimeterbereich arbeiten können und somit neue Anwendungen erschließen.

Keith Benson

24. November 2017

Zeitaufgelöste Thermografie

Oberflächentemperatur von Halbleitersubstraten messen

Damit Halbleiterbauteile im statischen und dynamischen Betrieb keinen Hitzschlag erleiden und lange leben, müssen Entwickler das thermische Verhalten sowie die Temperaturverteilung im Inneren kennen und berücksichtigen. Die Thermografie mittels Thermoreflectance Imaging ermöglicht detaillierte Einblicke.

Dr. Gabriel Loata

18. August 2016

High-Electron-Mobility-Transistoren

Neue GIT-Struktur verhindert Current-Collapse bei GaN-HEMT-Leistungstransistoren

GaN-Leistungshalbleiter ermöglichen sehr effiziente Stromversorgungen, allerdings hat die Branche mit ihnen viel weniger Erfahrung als bei traditionellen Silizium-Chips. So tritt hier das Current-Collapse-Phänomen auf, das den Baustein zerstören kann. Panasonic erklärt die Grundlagen und stellt ein geeignetes Prüfverfahren vor.

Howard Sin, Saichiro Kaneko

4. December 2015

GaN-Halbleiter auf dem Vormarsch

Nicht nur für Hochfrequenz

Nachdem sie anfangs in Hochfrequenzanwendungen zum Einsatz kamen, sind MOSFETs inzwischen auch Leistungsbauteile geworden. Dem HEMT (High Electron Mobility Transistor) ergeht es nun ebenso, bei noch besseren Ergebnissen. Doch wie kann er konkret eingesetzt werden?

Wolf-Dieter Roth

29. April 2015

650-V-Typen erschließen neue Applikationen

Aufholjagd der GaN-Leistungshalbleiter

Seit Mitte der 2000er Jahre wird diskutiert, welche der Wide-Gap-Technologien die Nase vorne hat: SiC oder GaN? Gegen Ende der Dekade stellte sich heraus, dass SiC näher an den Vorteilen des funktionalen Einsatzes ist. Jetzt zeigt sich aber, dass GaN im Spannungsbereich von 650 V und bald bis 1200 V eine Alternative zu SiC sein wird.

Wolfgang Knitterscheidt

21. January 2014

GaN-Leistungsbausteine

Aktive PFC mit bis zu 99 % Wirkungsgrad

Im Vergleich zu herkömmlichen Topologien besitzt die GaN-auf-Si-Schaltung die geringste Anzahl an schnellen Leistungsbausteinen und ermöglicht die widerstandsärmsten Strompfade ohne jeglichen Dioden-Spannungsabfall, wodurch modernste Umwandlungseffizienz erreicht wird.

Dr. YiFeng Wu, Liang Zhou

3. September 2013

Fraunhofer IZM forscht nach Alternativen

Packaging-Lösungen für die Leistungselektronik

Elektroauto, regenerative Energien, Smart Grid, LED-Leuchten – allein in diesen vier Anwendungsfeldern verbirgt sich ein immenses Potential, zeigt aber auch die Herausforderungen auf, denen sich leistungselektronische Baugruppen künftig stellen müssen: hohe Belastungsbedingungen und äußerste Zuverlässigkeit über die Betriebslebensdauer. Mehr noch: Die Kombination von Steuer- und Leistungselektronik auf einem Bord stellt hohe Anforderungen an das Design sowie die Materialien und Prozesse in der Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT).

Marisa Robles Consée

5. November 2012