Tag: sic

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Die wichtigsten Abkürzungen im Bereich Halbleiter und elektronische Bauelemente

Dieser Beitrag erklärt eine Fülle von Abkürzungen aus dem Bereich Halbleiter und elektronische Bauelemente. Dabei geht es im Schwerpunkt um Halbleiter‑Technologien und ‑Materialien, Sensoren & Aktuatoren, Optoelektronik, ICs und physikalische Begriffe.

Redaktion

2. October 2025

Thementag „Power“ zu aktivem Thermomanagement, GaN & Co.

Wie GaN und Kühlung die Leistungselektronik vorantreiben

Beim unserem Digitalen Thementag „Power“ gab es Einblicke in aktuelle Trends der Leistungselektronik – mit einem Schlaglicht auf GaN, SiC und innovatives Wärmemanagement. Welche Lehren sich jetzt schon ziehen lassen.

Dr. Martin Large

5. August 2025

Mobile Geräte optimiert laden

Batterielader: Welche Topologie überzeugt technisch

Fortschritte bei SiC- und GaN-Komponenten verbessern die Leistungsdichte von Batterieladern und machen sie robuster. Ladezeiten, Bauformen und Wirkungsgrad lassen sich nur dann optimieren, wenn Entwickler auch die beste Topologie für den Praxisfall wählen.

Prasad Paruchuri

30. June 2025

Optimiertes Referenzdesign für Wechselrichter

Cissoid und Edag entwickeln SiC-Traktionswechselrichter

Durch die Bündelung ihrer Stärken wollen Cissoid und EDAG OEMs und Zulieferern im Bereich der Elektromobilität technische Unterstützung sowie Komplettlösungen für die funktionssichere Entwicklung SiC-basierender Traktionsumrichter bieten.

Jessica Mouchegh

23. May 2025

Elektronik-Branchentreffen in Nürnberg

PCIM 2025: Highlights der Power-Messe

Als Leitmesse für Leistungselektronik bietet die PCIM Europe 2025 einen umfassenden Überblick über aktuelle Technologietrends. Wir haben uns umgeschaut und uns einen Eindruck vom Messegeschehen gemacht. Die Highlights von der PCIM 2025 hier.

Martin Probst

7. May 2025

Neue Technologien für effiziente Leistungselektronik

PCIM Europe 2025: Das sind die Highlights

Auf der PCIM Europe 2025 dreht sich alles um SiC, GaN, intelligente Energiesysteme und neue Lösungen für Antriebstechnik. Die Leitmesse der Leistungselektronik zeigt, wohin sich die Branche bewegt – wir fassen die wichtigsten Highlights zusammen.

Lukas Mandel

28. April 2025

Die großen Drei – Wettstreit der Halbleitertechnologien

Diese Trends bewegen die Welt der On-Board-Ladegeräte

Die nächste Generation von On-Board-Ladegeräten braucht neue Leistungshalbleiter. Ein intelligenter Einsatz dieser Technologien spielen dabei eine wichtige Rolle. Ebenso muss geklärt werden, welche Halbleitertechnologien für OBCs geeignet sind.

Rafael Garcia Mora

28. November 2024

Boom in den nächsten Jahren – trotz Hürden

Leistungselektronik: Prognosen, Chancen und Risiken bis 2029

Der Markt für Leistungselektronik explodiert: bis 2029 soll er 35,7 Milliarden US-Dollar betragen. Doch zwischen rasantem Wachstum und überfüllten Produktionskapazitäten stehen die Zeichen auf Wandel.

Dr. Martin Large

17. September 2024

Langfristige Liefervereinbarung zwischen Rohm und UAES

SiC-Leistungsbauelemente für Wechselrichtermodule

Im Rahmen ihrer langjährigen Zusammenarbeit haben Rohm und UAES eine langfristige Liefervereinbarung für SiC-Leistungsbauelemente getroffen.

Jessica Mouchegh

9. September 2024

SiC-MOSFETs für Hochleistungsschaltungen

So lassen sich die Vorteile der SiC-Technologie nutzen

WBG-Halbleiter haben Elektronikentwicklern neue Handlungsspielräume bei der Entwicklung von Hochleistungsschaltungen eröffnet. Insbesondere SiC-Transistoren versprechen einen zuverlässigen und effizienten Betrieb bei hohen Temperaturen.

Chip Brakeville

23. May 2024

Trends und Grenzen in der Zuverlässigkeit

Zukunft der Leistungselektronik durch neue Materialien

Welche Rolle spielen neue Materialien bei der Steigerung der Effizienz und Zuverlässigkeit in der Leistungselektronik?

Petra Gottwald

24. April 2024

Wide-Bandgap-Halbleiter unter der Lupe

11 Mythen über Siliziumkarbid (SiC) und was dahinter steckt

Siliziumkarbid (SiC) steht eine goldene Zukunft bevor. Dabei gibt es viele Mythen, die dem Wide-Bandgap-Halbleiter einige Fähigkeiten absprechen. Aber wie sind diese zu beurteilen?

Dr. Martin Large

19. January 2024

Fertigung von Si(C)-Bauelementen

Rohm und Toshiba kooperieren bei Leistungshalbleitern

Rohm will künftig mit Toshiba bei der Herstellung von Si- und SiC-Halbleitern zusammenarbeiten. So soll eine stabilere Versorgung an Bauelementen sichergestellt werden.

Martin Probst

14. December 2023

Wide-Bandgap-Halbleiter im OBC

SiC treibt Onboard-Laden bei steigenden Spannungspegeln voran

Da es nur eine begrenzte Anzahl von Hochleistungs-Ladestationen für EVs gibt, verlässt sich ein beträchtlicher Teil der E-Fahrzeugbesitzer auf ihre Onboard-Ladegeräte (OBC). Um deren Leistungsfähigkeit zu verbessern, setzen die OEMs auf SiC.

Kevin Keller

4. December 2023

Ultraschneller Analog-IC gibt in der Industrie den Takt an

Schnelle Analog-LSI und GaN-Leistungsbausteine in Kombination erhöhen die Leistung, senken den Stromverbrauch bei gleichzeitiger Reduktion der Elektronik-Bauteile. Das verspricht mehr Nachhaltigkeit in der industriellen Automation oder für das autonome Fahren.

Sabine Spinnarke

27. November 2023

Vorteile von Wide-Bandgap-Lösungen nutzen

Der Trend zu SiC in der Elektrifizierung

Eigenschaften von SiC wie hohe Spannungen und Ströme und ein hoher Wirkungsgrad helfen, die Reichweite und Ladegeschwindigkeit bei E-Fahrzeugen zu steigern. Von E-Fuses bis zur schnellen DC-Ladeinfrastruktur profitieren einige Anwendungen davon.

Andreas von Hofen

25. September 2023

ROHMs Kernkomponenten für Smarte Technologien

Smarte Technologien und die Elektrifizierung schreiten in verschiedenen Bereichen immer weiter voran, unter anderem in der Automobilbranche und im Industriesektor. ROHM hat sich auf SiC-Leistungsbauelemente mit hervorragender Leistung konzentriert und forscht daran seit langem.

ROHM Semiconductor

21. September 2023

Leistungsumwandlung für E-Autos mit deutlich verbesserter Effizienz

Der Trend zu mehr Spannung und Batteriekapazität bei Elektroautos bietet den Nutzern nicht nur einen höheren Ladekomfort. Wenn Strom effizienter genutzt wird, zahlt das auch auf die Nachhaltigkeit ein.

ROHM-Redaktion

21. September 2023

Keine Dekarbonisierung ohne Leistungshalbleiter

Leistungshalbleiter (Si/SiC/GaN) sind Schlüsselbauelemente

Auf dem 27. Automobil-Elektronik-Kongress gab Jochen Hanebeck, CEO von Infineon, ein klares Bild rund um den Einsatz von Leistungshalbleitern in Fahrzeugen – von Silizium über SiC bis GaN. Auch das Kapazitätenproblem thematisierte er.

Alfred Vollmer

22. August 2023

No decarbonization without power semiconductors

Power semiconductors (Si/SiC/GaN) are key components

At the 27th Automobil-Elektronik Kongress, Jochen Hanebeck, CEO of Infineon, gave a clear picture around the use of power semiconductors in vehicles–from silicon to SiC to GaN. He also addressed the capacity problem.

Alfred Vollmer

16. August 2023

Mehr Publikum – mehr Fachwissen – mehr Networking

PCIM 2023 zeigt klar: Leistungselektronik gefragter denn je

"Die PCIM Europe 2023 weiter auf Erfolgskurs". So überschreibt der Veranstalter seine Zusammenfassung der Messe. Und als Besucher muss man ihm recht geben, wie Zahlen und Bilder zeigen.

Dr. Martin Large

17. May 2023

35-fache Steigerung

Rohm will SiC-Produktion enorm ausbauen

Rohm Semiconductor will Milliardensumme in die Produktion von SiC-Halbleitern investieren und die Fertigungskapazität so um das 35-fache steigern. Der Halbleiterhersteller zieht damit mit Konkurrenten gleich.

Martin Probst

11. May 2023

Neuerungen bei passiven Bauelementen

Hohe Leistungsdichte für energieintensive Systeme

Die Stromwandler, die Server in Rechenzentren und intelligente Fahrzeuge versorgen, müssen in der Lage sein, große Leistung auf kleinerem Raum zu verarbeiten. Neue Materialien und Schaltungstopologien können bei der Entwicklung solcher Bauteile helfen.

Peter A. Blais

17. March 2023

Warum Siliziumkarbid- und Galliumnitrid-Halbleiter so wichtig für das E-Fahrzeug sind

Wide-Bandgap-Technologien (SiC und GaN) für nachhaltige EVs

Warum erhöhen Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid-Halbleiter (GaN) die Effizienz in E-Fahrzeugen signifikant im Vergleich zu Silizium-Halbleitern? Dieser Beitrag gibt die Antwort.

Hans Adlkofer und Dirk Geiger

28. September 2022

Siliziumkarbid im Traktionswechselrichter

Höherer Wirkungsgrad und mehr Reichweite für E-Autos mit SiC

Bei der Umstellung auf den Antrieb mit elektrischer Energie kann die Verwendung von SiC-MOSFETs in Traktionswechselrichtern dazu beitragen, die Kluft zwischen den Erwartungen an die Reichweite und Preis von E-Autos verringern.

Timothé Rossignol

24. May 2022

SiC und GaN: Die nächste Revolution in der Leistungselektronik

Leistungselektronik: Wide-Bandgap-Halbleiter aus SiC und GaN

Die nächste Revolution in der Leistungselektronik steht vor der Tür: Die aufstrebenden WBG-Halbleiter aus SiC und GaN werden dazu beitragen, die Leistungselektronik der Zukunft für verschiedenste Anwendungen effizienter und kompakter zu gestalten.

Ajay Hari und Jon Harper

12. November 2021

Hoher Wirkungsgrad mit SiC-FETs

Leistungsumwandlung im E-Auto: Topologie- und Bauelementeauswahl

Wide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN machen den Weg frei für einen hohen Wirkungsgrad. Der Beitrag erörtert die Eigenschaften dieser Komponenten im Vergleich zu Alternativen wie SiC-FETs.

Anup Bhalla

18. October 2021

Wettbewerb der WBG-Bauelemente

So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren

Verbindungshalbleiter mit großer Bandlücke lösen in einigen Bereichen der Elektronik Silizium immer mehr ab. Besonders etabliert haben sich in den letzten Jahren Bauelemente auf Galliumnitrid- und Siliziumkarbid-Basis. Doch wo liegen die grundlegenden Unterschiede zwischen beiden und welche Vorteile bieten sie im Automotive-Bereich?

Dr.-Ing. Nicole Ahner (nach Unterlagen von Onsemi)

16. September 2021

Von Stromschiene bis Sicherung

Passive elektronische Komponenten für E-Autos aus einer Hand

Alle Bauteile vom gleichen Hersteller zu beziehen hat seine Vorteile. Dies gilt auch für passive elektronische Komponenten in der Elektromobilität.

Simon Landrivon

24. August 2021

Hohe Kühlleistung bei minimalem Druckverlust

Mersen stellt Flüssigkeits-Kühlkörper für Leistungsmodule vor

Die Isomaxx-Kühlkörper von Mersen bieten eine hohe Kühlleistung bei minimalem Druckverlust. Sie erfüllen die hohen Anforderungen aktueller Leistungselektronik und wurden speziell für SiC-, GaN- oder IGBT-Leistungsmodule entwickelt.

Nicole Ahner

14. July 2021

Interview mit Dr. Patrick Leinenbach, Senior VP bei Bosch und Leiter des Halbleiter-Fertigungsverbunds bei Bosch

Die Halbleiterstrategie von Bosch: Dresden, KI, SiC und Technologie

Dr. Patrick Leinenbach erklärt die Technik der neuen Halbleiterfab in Dresden und bei Bosch: Über Künstliche Intelligenz, digitale Zwillinge und Big-Data in der Fertigung sowie über SiC, MEMS etc.

Nicole Ahner

2. June 2021

Markt- und Technologietrends bei SiC-Leistungsmodulen

SiC für Elektrofahrzeuge benötigt neue Aufbau- und Verbindungstechnik

Der Entwicklungsfokus bei SiC-Anwendungen wendet sich der Kostensenkung zu, um mit den etablierten Si-IGBT-Lösungen im Wettbewerb bleiben zu können. Gerade in der Aufbau- und Verbindungstechnik bei SiC-Modulen ist die Technologie noch nicht ausentwickelt.

Dr. Ezgi Dogmus

18. March 2021

Zuverlässigkeit und Schutz bei hohen Busspannungen

Leistungshalbleiter in EV-Ladegeräten sicher einsetzen

Ladelösungen mit hoher Leistungsdichte setzen heute auf IGBT-, SiC- und GaN-basierte Leistungswandler die im Megahertz-Bereich schalten. Mit immer höheren Leistungs- und Spannungswerten kommt es dabei darauf an, Menschen und Anlagen vor gefährlichen Betriebszuständen zu schützen.

Jayanth Rangaraju, Harish Ramakrishnan

12. March 2021

Charakterisierung von schnellen Leistungshalbleitern

Der Einfluss der Doppelpulstestsystem-Vorrichtungen

Es ist nicht mehr möglich, Leistungswandler zu entwickeln und zu messen, ohne Hochfrequenzeffekte zu berücksichtigen. Wie müssen DPT-Vorrichtungen designt sein, um wiederholbare und zuverlässige Ergebnisse zu erhalten?

Ryo Takeda, Bernhard Holzinger, Mike Hawes

30. June 2020

Spannungsfeld Leistung, Robustheit und Kosten

Leistungshalbleiter-Technologien für die Elektromobilität

Bei Elektroantrieben gilt es, die Systeme so effizient wie möglich zu gestalten. Dabei spielt die Leistungselektronik eine entscheidende Rolle, denn mit einem Anteil von rund 20 Prozent trägt sie erheblich zum elektrischen Gesamtverlust bei. Dabei ist zu beachten, dass die Wahl der Leistungshalbleiter immer ein Kompromiss zwischen Leistung, Robustheit und Kosten ist.

Ajay Poonjal Pai

9. June 2020

Si oder Wide-Bandgap?

SiC, GaN, Si: Wann Silizium in Schaltnetzteilen die bessere Wahl ist

Damit Vorteile von Wide-Bandgap-Bauelementen wie SiC und GaN in Schaltnetzteilen auch zum Tragen kommen, braucht es mehr als nur Silizium zu ersetzen – manchmal ist Si auch die bessere Wahl.

Gerald Zipfel, Francesco Di Domenico

1. April 2020

Neue Testvorschriften für Leistungshalbleiter

Wo die Probleme beim Langzeiteinsatz von SiC und GaN liegen

Wide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN bieten viele Vorteile im E-Auto, dennoch ist die Branche äußerst zurückhaltend bei ihrem Einsatz. Prof. Leo Lorenz von Infineon erklärt, wo das wirkliche Problem beim Langzeiteinsatz liegt.

Gunnar Knuepffer

10. February 2020

Der Königsweg der Leistungshalbleiter

Das unterscheidet die Bauelementekonzepte GaN, SiC, Superjunction

Wide-Bandgap-Leistungshalbleiter treten in der 600-V-Klasse mit der Superjunction-Technologie, den GaN-HEMTs und SiC-MOSFETs an. Welches Bauelement dabei für welche Schlüsselapplikation überzeugt.

Dr. Gerald Deboy, René Mente

25. March 2019

Ein Fall für effiziente und wärmetolerante Wide-Bandgap-Halbleiter

Neue SiC-Hochspannungskomponenten für Elektrofahrzeuge

In einem Whitepaper diskutiert TI die Vorteile von SiC-Breitbandhalbleitern in den zwei Subsystemen Onboard-Ladegerät (OBC) und Traktionswechselrichter.

Nagarajan Sridhar

6. December 2018

Chipoberseitenkontaktierung für Elektromobilität

AVT für Leistungshalbleiter in Si- und SiC-Technologie

Lösungen für die Leistungselektronik: Das Die-Top-System zur Chipoberseitenkontaktierung in Leistungselektronikmodulen hat Heraeus weiterentwickelt. Es ermöglicht eine mehr als 50 Prozent höhere Stromstärke des Chips und bietet eine deutlich höhere Zuverlässigkeit. Doch auch mit der Erweiterung der Condura-Familie fokussiert Heraeus weiter den Powerbereich.

Marisa Robles

23. July 2018

Leistungselektronik-Schau in Bildern

SiC, Elektromobilität und ein Ausstellerrekord – die PCIM 2018

Die PCIM Europe 2018 legte mit über 500 Ausstellern ein Rekordergebnis vor. Vom 5. bis 7. Juni 2018 konnten sich über 11.000 Besucher über aktuelle Trends und Entwicklungen in der Leistungselektronik informieren. Wie stark dieser Markt von der Elektromobilität angetrieben wird zeigt, dass rund 50 Prozent der Aussteller Produkte für Anwendungen rund um die Fahrzeug-Elektrifizierung ausstellten. Die Redaktion von all-electronics.de hat vor Ort Eindrücke gesammelt.

Redaktion

13. June 2018

Littelfuse investiert in Monolith Semiconductor

SiC-Leistungsbauelemente in CMOS-Technologie

Littelfuse hat erneut in das amerikanische Start-Up Monolith Semiconductor investiert. Etwa 15 Millionen US-Dollar investiert das Unternehmen, um seinen Einstieg in den Markt für SiC-Halbleiter voranzutreiben. Gegenüber Silizium lassen sich mit Bauelementen auf Basis von SiC (Siliziumkarbid) höhere Schaltfrequenzen und Arbeitstemperaturen realisieren und deutlich höhere Wirkungsgrade erreichen.

Nicole Ahner

27. March 2017

Halbleiter für die Branche

Exklusiv-Interview mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe

AUTOMOBIL-ELEKTRONIK sprach mit Christian André, President von Rohm Semiconductor Europe und Geschäftsführer der Rohm Semiconductor GmbH in Willich bei Düsseldorf, über die Bedeutung des Automotive-Geschäfts für Rohm, generelle Trends, die Vorteile einer sehr großen Fertigungstiefe, SiC-Technologie, Formula-e-Rennen, ADAS, LED-Licht und vieles mehr.

Alfred Vollmer

25. August 2016

650-V-Typen erschließen neue Applikationen

Aufholjagd der GaN-Leistungshalbleiter

Seit Mitte der 2000er Jahre wird diskutiert, welche der Wide-Gap-Technologien die Nase vorne hat: SiC oder GaN? Gegen Ende der Dekade stellte sich heraus, dass SiC näher an den Vorteilen des funktionalen Einsatzes ist. Jetzt zeigt sich aber, dass GaN im Spannungsbereich von 650 V und bald bis 1200 V eine Alternative zu SiC sein wird.

Wolfgang Knitterscheidt

21. January 2014

Fraunhofer IZM forscht nach Alternativen

Packaging-Lösungen für die Leistungselektronik

Elektroauto, regenerative Energien, Smart Grid, LED-Leuchten – allein in diesen vier Anwendungsfeldern verbirgt sich ein immenses Potential, zeigt aber auch die Herausforderungen auf, denen sich leistungselektronische Baugruppen künftig stellen müssen: hohe Belastungsbedingungen und äußerste Zuverlässigkeit über die Betriebslebensdauer. Mehr noch: Die Kombination von Steuer- und Leistungselektronik auf einem Bord stellt hohe Anforderungen an das Design sowie die Materialien und Prozesse in der Aufbau- und Verbindungstechnik (AVT).

Marisa Robles Consée

5. November 2012

Auf die Spitze getrieben

Leistungsdichte durch SiC-Matrix-Umrichter maximiert

Die Leistungsdichte in Baugruppen der Leistungselektronik vergrößern: Diese Aufgabe ist zu einem Schlüsselfaktor geworden, um erfolgreiche Produkte herzustellen. Verringerter Materialeinsatz bei Kühlkörpern und Gehäusen sowie Einsparungen beim benötigten Bauvolumen ermöglichen den Bau kosteneffizienterer Geräte.

Dr.-Ing. Martin Schulz, Dr. Liliana De Lillo und Dr. Lee Empringham

24. April 2012