Littelfuse investiert in Monolith Semiconductor
SiC-Leistungsbauelemente in CMOS-Technologie
Monolith Semiconductor lässt seine SiC-Leistungsbauelemente von X-Fab in Texas auf 150-mm-Substraten in CMOS-Technologie herstellen.
(Bild: X-Fab)
Littelfuse hat erneut in das amerikanische Start-Up Monolith Semiconductor investiert. Etwa 15 Millionen US-Dollar investiert das Unternehmen, um seinen Einstieg in den Markt für SiC-Halbleiter voranzutreiben. Gegenüber Silizium lassen sich mit Bauelementen auf Basis von SiC (Siliziumkarbid) höhere Schaltfrequenzen und Arbeitstemperaturen realisieren und deutlich höhere Wirkungsgrade erreichen.
Nachdem Littlefuse bereits im Dezember 2016 in Monolith Semiconductor investierte, hält das Unternehmen mit der erneuten Investition jetzt die Mehrheit der Anteile an dem Start-Up. Einer der größten Stolpersteine für die Etablierung von SiC-Bauelementen für die Leistungselektronik waren bisher die hohen Kosten für Substrate und Prozessierung. Monolith entwickelt Prozesse für die Produktion von SiC-Bauelementen in CMOS-Technologie. Damit lassen sich auch Bausteine, die den Spezifizierungen der Automobilindustrie entsprechen, kostengünstig auf 150-mm-Substraten in Volumenproduktion herstellen.
Littelfuse und Monolith traten auf der Applied Power Electronics Conference & Exposition Ende März diesen Jahres das erste Mal gemeinsam unter dem Motto „Making SiC Mainstream“ auf. Unter den vorgestellten und demonstrierten Produkten befinden sich SiC-Leistungsbauelemente wie die Schottky-Dioden der zweiten Generation, die für 1200 V und Ströme von 5 A und 10 A ausgelegt sind. Gefertigt werden die Dioden von der X-Fab in ihrer texanischen Fabrik auf 6-Zoll-Substraten und sind in TO-220-Gehäusen untergebracht. Die Bauelemente sind für den Automotive-Bereich qualifiziert und sollen im Vergleich zu Dioden auf Siliziumbasis um 50 Prozent reduzierte Schaltverluste aufweisen.
Vorgestellt wurden außerdem in CMOS-Technologie hergestellte SiC-MOSFETs für 1200 V und 20 A, die Sperrschichttemperaturen bis 175 °C tolerieren. Laut den Analysten von Yole Dévelopment soll sich der Bedarf an SiC-Leistungshalbleitern im mittleren und Hochvoltbereich bis 2020 global verdoppeln. Das Potenzial für die Optimierung von Si-Leistungsbauelementen ist nahezu ausgeschöpft, während Materialien mit hohen Bandlücken, wie beispielsweise Siliziumkarbid, höhere Nennleistungen bei geringeren Verlusten ermöglichen.
(na)
