Hybride Power-Control

Analoger Spannungswandler mit integriertem Mikrocontroller

Leitner Leitner

Veröffentlicht 18. Februar 2013 - 09:00 Geändert 18. Februar 2013 - 09:00

Spannungswandler arbeiten gewöhnlich auf analoger Basis oder digital, mit einem äußerst leistungsfähigen Rechenkern. Microchip geht nun den Mittelweg: Sie kombinieren einen analogen Wandler mit einer kleinen Flash-MCU (mit PIC-Kern) auf einem Chip. Die MCU ist aber nicht Teil der Feedback-Schleife.

Beim MCP19111 hat Microchip den analogen Spannungswandler mit einer kleinen MCU aufgewertet.

Preisgünstige Entwicklungsplatine mit schnellen MOSFETs.

Blockdiagramm des MCP19111 mit externen Beschaltung.

Microchip hat gleichzeitig sein Portfolio an effizienten Hochgeschwindigkeits-MOSFETs erweitert.

Die MCP19111-Familie arbeitet in einem Spannungsbereich von 4,5 bis 32 V und ist laut Microchip erheblich vielseitiger als konventionelle analoge Ausführungen. Der analoge PWM-Controller sorgt für hohe Geschwindigkeit, Leistung und Auflösung, der Mikrocontroller ergänzt hohe Flexibilität. Beide Bestandteile sind auf einem gemeinsamen Chip in identischer Technologie aufgebaut. Für den 8-Bit-PIC-Mikrocontroller stehen 8 KByte Flash und 256 Byte RAM zur Verfügung. Der Anwender kann hierfür sogar eigenen Code schreiben: Er muss nur die Konfiguration des Analog-Teils in die Register schreiben und kann dann beliebige eigene Algorithmen aufsetzen. Dabei steht ihm sogar ein integrierter AD-Wandler zur Verfügung sowie bis zu 15 GPIO-Ports, PMBus- und I²C-Interfaces.

Der MCP19111 besitzt einen internen LDO sowie MOSFET-Treiber für Anwendungen mit synchronen Abwärtswandlern. Passend dazu stellt Microchip eigene Hochgeschwindigkeits-MOSFETs vor, die auch auf dem MCP19111-Evaluationsboard (knapp 50 US-Dollar) verbaut sind. Das Eva-Board kommt mit einer Standard-Firmware, die der Anwender mit der Entwicklungsumgebung MPLAB-X konfiguriert.

Die neuen 25-V- Hochgeschwindigkeits-MOSFETs MCP87018, MCP87030, MCP87090 und MCP87130 mit 1,8 mΩ, 3 mΩ, 9 mΩ und 13 mΩ eignen sich für getaktete MOSFET-Netzteile und DC/DC-Leistungswandler mit hohem Wirkungsgrad.

(lei)