Second Source für SiC-Leistungshalbleiter
Infineon und Rohm kooperieren bei SiC-Gehäusen
Dr. Peter Wawer, Division President Green Industrial Power bei Infineon (links), und Dr. Kazuhide Ino, Mitglied des Vorstands, Managing Executive Officer, verantwortlich für das Power Devices Geschäft bei Rohm
(Bild: Infineon Technologies)
Infineon und Rohm beabsichtigen, wechselseitig als zweite Bezugsquelle für SiC-Leistungshalbleiter zu dienen. Damit können Kunden künftig einfach zwischen den Produkten beider Unternehmen wechseln und sind damit flexibler bei Design und Beschaffung.
Infineon Technologies und Rohm haben eine Absichtserklärung zur Zusammenarbeit bei Siliziumkarbid-Leistungshalbleiter-Gehäusen (SiC) unterzeichnet, die in Anwendungen wie Onboard-Ladegeräten, Photovoltaik, Energiespeichersystemen und KI-Rechenzentren zum Einsatz kommen. Konkret beabsichtigen die Partner, wechselseitig als zweite Bezugsquelle für Kunden zu fungieren, die damit Bauteile mit kompatiblen Gehäusen sowohl von Infineon als auch von Rohm beziehen können.
Im Rahmen der Vereinbarung übernimmt Rohm die Top-Side-Cooling-Plattform für SiC von Infineon, einschließlich der Gehäuse Tolt, D-DPAK, Q-DPAK, Q-DPAK dual und H-DPAK. Die Plattform zeichnet sich durch eine Standardhöhe von 2,3 mm für alle Gehäuse aus. Das vereinfacht das Design und senkt die Kühlkosten, ermöglicht eine effizientere Platzausnutzung auf der Leiterplatte und eine bis zu doppelt so hohe Leistungsdichte.
Gleichzeitig wird Infineon basierend auf dem DOT-247-Gehäuse von Rohm mit SiC-Halbbrückenkonfiguration ein kompatibles Produkt entwickeln und erweitert damit das kürzlich angekündigte Double-TO-247-IGBT-Portfolio um SiC-Halbbrückenlösungen. Das DOT-247-Gehäuse von Rohm bietet eine höhere Leistungsdichte und einfachere Montage im Vergleich zu Standard-Einzelgehäusen. Da die Struktur zwei TO-247-Gehäuse integriert, lassen sich der Wärmewiderstand um etwa 15 Prozent und die Induktivität um 50 Prozent im Vergleich zum TO-247 reduzieren. Diese Vorteile ermöglichen eine 2,3-fache Leistungsdichte.
Infineon und Rohm planen, ihre Zusammenarbeit künftig auf weitere Gehäuse für Silizium- und Wide-Bandgap-Leistungshalbleitertechnologien wie SiC und Galliumnitrid (GaN) auszuweiten.
