Schwerpunktthema Reichweite
Elektromobilität wird nur dann breite Akzeptanz erfahren, wenn die Fahrzeuge eine ausreichende Reichweite bieten können. Doch wovon hängt die Reichweite eines E-Autos ab? Hier erfahren Sie alles über aufkommende und weiterentwickelte Technologien zur Erhöhung der Reichweite: von Wirkungsgrad über Halbleiter bis Gewichtsreduzierung durch Leichtbau.
Renesas schließt zehnjährigen Liefervertrag für SiC mit Wolfspeed
Renesas hat heute den Abschluss eines zehnjährigen Liefervertrages für Siliziumkarbid-Wafer (Bare und Epitaxial) mit Wolfspeed bekanntgegeben. Dafür hat Renesas eine Anzahlung von 2 Milliarden US-Dollar geleistet.
ST liefert Siliziumkarbid-Halbleiter an ZF
Um Aufträge im Bereich Elektromobilität langfristig abzusichern, hat ZF mit ST einen Vertrag über die Lieferung von Siliziumkarbid-Modulen geschlossen. Die Module werden in die 2025 in Serie gehende Wechselrichter-Plattform von ZF integriert. Es ist nicht der erste Deal dieser Art.
Halbleiter und Software sind der Schlüssel für mehr Nachhaltigkeit
Nachhaltigkeit kann den Wert, den Technologien schaffen können, noch erhöhen. So lässt sich z. B. bei einem als „grün“ angesehenen Lebensmittel ein Preisaufschlag erzielen. Autos, Halbleiter und Software sind die nächsten Produkte, wo dies möglich wird.
SiC: Auch BorgWarner investiert in Wolfspeed
Nach Jaguar sichert sich auch BorgWarner Siliziumkarbid-Halbleiter von Wolfspeed. Für 500 Millionen US-Dollar ist BorgWarner berechtigt, „jährlich Bauelemente im Wert von bis zu 650 Millionen US-Dollar abzunehmen“.
Jaguar sichert sich Siliziumkarbid-Halbleiter von Wolfspeed
Durch eine Partnerschaft mit Wolfspeed sichert sich Jaguar Land Rover Zugang zu Siliziumkarbid-Halbleitern für die Elektrifizierung der nächsten Generation von Range-Rover-, Discovery-, Defender- und Jaguar-Fahrzeugen.
Evolution der Leistungswandlung mit 1700-V-SiC-MOSFETs
In der Welt der Leistungselektronik gilt: Größer ist nie besser. Dies gilt vor allem für Hochvoltsysteme, bei denen die Konstrukteure nach besserer Halbleitertechnologie suchen. mit 1700-V-SiC-MOSFETs stehen Entwicklern nun ganz neue Wege offen.
Wide-Bandgap-Technologien (SiC und GaN) für nachhaltige EVs
Warum erhöhen Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid-Halbleiter (GaN) die Effizienz in E-Fahrzeugen signifikant im Vergleich zu Silizium-Halbleitern? Dieser Beitrag gibt die Antwort.
Leistungs-Module für mehr Effizienz im Traktionswechselrichter
Eine höhere Dichte von Batteriezellen und eine effizientere Leistungswandlung sind entscheidend, um die Reichweite von EVs zu erhöhen. Besonders für den Traktionswechselrichter ist der Wirkungsgrad entscheidend. Was IGBTs hierbei leisten.
Renesas stellt neue Generation an Si-IGBTs für E-Autos vor
Renesas kündigt die Entwicklung einer neuen Generation von Si-IGBTs mit geringerer Baugröße und niedrigerer Verlustleistung an. Die IGBTs werden in der neuen 300-mm-Fabrik in Kofu/Japan hergestellt.
Gate-Treiber für IGBT- und SiC-MOSFETs im E-Auto
Gerade bei Neuentwicklungen dominiert zunehmend die SiC-MOSFET-Technologie. Im Vergleich zum IGBT bringt sie bei 800 V Effizienzvorteile von mehr als zehn Prozent im Vergleich zum WLTP-Fahrzyklus. Aber auch bei IGBTs gibt es Weiterentwicklungen.
Navigation für E-Mobilität
Elektrofahrzeuge stellen hohe Anforderungen an Navigationssysteme. Gefragt sind vor allem Infos über die Ladeinfrastruktur entlang der Strecke. Dafür braucht es ein System mit robusten Routing-Funktionen und umfassendem digitalem Kartenmaterial.
SiC-Kooperation zwischen Semikron und Rohm
Mit SiC-MOSFETs von Rohm bestückte Semikron-Leistungsmodule für Wechselrichteranwendungen in Elektrofahrzeugen erhöhen die Reichweite und ermöglichen kleinere Batterien.
Höhere Reichweite dank höherer Leistungsdichte durch SiC-Module
Fast die gesamte Energie eines Elektrofahrzeugs (EV) wird am Fahrantrieb verbraucht. Folglich sollte gerade das Antriebssystem daher mit der höchstmöglichen Effizienz arbeiten. Denn all dies hilft, die Reichweite des Elektrofahrzeugs zu maximieren.
Höherer Wirkungsgrad und mehr Reichweite für E-Autos mit SiC
Bei der Umstellung auf den Antrieb mit elektrischer Energie kann die Verwendung von SiC-MOSFETs in Traktionswechselrichtern dazu beitragen, die Kluft zwischen den Erwartungen an die Reichweite und Preis von E-Autos verringern.
SiC-Leistungsschalter von Bosch für Hochvolt-Applikationen
In der Leistungselektronik geben Normen Vorgaben, was nötig ist, um Hochvoltapplikationen zu realisieren. Aber die Bauteile sollen immer größere Schaltleistungen bei geringem Platzbedarf ermöglichen. Wie wählt der Entwickler die Bauelemente aus?
Schnellschaltende SiC-Bauelemente im Umrichter von E-Autos
Die Reichweite von E-Autos zu erhöhen gelingt auch durch den Einsatz von SiC-Trench-MOSFETs im Antriebsstrang, wodurch die Verluste im Umrichter kleiner ausfallen. Die MOSFETs bieten niedrige Durchlassverluste und minimieren die Schaltverluste.