Schwerpunktthema Reichweite
Elektromobilität wird nur dann breite Akzeptanz erfahren, wenn die Fahrzeuge eine ausreichende Reichweite bieten können. Doch wovon hängt die Reichweite eines E-Autos ab? Hier erfahren Sie alles über aufkommende und weiterentwickelte Technologien zur Erhöhung der Reichweite: von Wirkungsgrad über Halbleiter bis Gewichtsreduzierung durch Leichtbau.
Wide-Bandgap-Technologien (SiC und GaN) für nachhaltige EVs
Warum erhöhen Siliziumkarbid- (SiC) und Galliumnitrid-Halbleiter (GaN) die Effizienz in E-Fahrzeugen signifikant im Vergleich zu Silizium-Halbleitern? Dieser Beitrag gibt die Antwort.
Leistungs-Module für mehr Effizienz im Traktionswechselrichter
Eine höhere Dichte von Batteriezellen und eine effizientere Leistungswandlung sind entscheidend, um die Reichweite von EVs zu erhöhen. Besonders für den Traktionswechselrichter ist der Wirkungsgrad entscheidend. Was IGBTs hierbei leisten.
Renesas stellt neue Generation an Si-IGBTs für E-Autos vor
Renesas kündigt die Entwicklung einer neuen Generation von Si-IGBTs mit geringerer Baugröße und niedrigerer Verlustleistung an. Die IGBTs werden in der neuen 300-mm-Fabrik in Kofu/Japan hergestellt.
Gate-Treiber für IGBT- und SiC-MOSFETs im E-Auto
Gerade bei Neuentwicklungen dominiert zunehmend die SiC-MOSFET-Technologie. Im Vergleich zum IGBT bringt sie bei 800 V Effizienzvorteile von mehr als zehn Prozent im Vergleich zum WLTP-Fahrzyklus. Aber auch bei IGBTs gibt es Weiterentwicklungen.
Navigation für E-Mobilität
Elektrofahrzeuge stellen hohe Anforderungen an Navigationssysteme. Gefragt sind vor allem Infos über die Ladeinfrastruktur entlang der Strecke. Dafür braucht es ein System mit robusten Routing-Funktionen und umfassendem digitalem Kartenmaterial.
SiC-Kooperation zwischen Semikron und Rohm
Mit SiC-MOSFETs von Rohm bestückte Semikron-Leistungsmodule für Wechselrichteranwendungen in Elektrofahrzeugen erhöhen die Reichweite und ermöglichen kleinere Batterien.
Höhere Reichweite dank höherer Leistungsdichte durch SiC-Module
Fast die gesamte Energie eines Elektrofahrzeugs (EV) wird am Fahrantrieb verbraucht. Folglich sollte gerade das Antriebssystem daher mit der höchstmöglichen Effizienz arbeiten. Denn all dies hilft, die Reichweite des Elektrofahrzeugs zu maximieren.
Höherer Wirkungsgrad und mehr Reichweite für E-Autos mit SiC
Bei der Umstellung auf den Antrieb mit elektrischer Energie kann die Verwendung von SiC-MOSFETs in Traktionswechselrichtern dazu beitragen, die Kluft zwischen den Erwartungen an die Reichweite und Preis von E-Autos verringern.
SiC-Leistungsschalter von Bosch für Hochvolt-Applikationen
In der Leistungselektronik geben Normen Vorgaben, was nötig ist, um Hochvoltapplikationen zu realisieren. Aber die Bauteile sollen immer größere Schaltleistungen bei geringem Platzbedarf ermöglichen. Wie wählt der Entwickler die Bauelemente aus?
Schnellschaltende SiC-Bauelemente im Umrichter von E-Autos
Die Reichweite von E-Autos zu erhöhen gelingt auch durch den Einsatz von SiC-Trench-MOSFETs im Antriebsstrang, wodurch die Verluste im Umrichter kleiner ausfallen. Die MOSFETs bieten niedrige Durchlassverluste und minimieren die Schaltverluste.
Leistungsumwandlung im E-Auto: Topologie- und Bauelementeauswahl
Wide-Bandgap-Halbleiter wie SiC und GaN machen den Weg frei für einen hohen Wirkungsgrad. Der Beitrag erörtert die Eigenschaften dieser Komponenten im Vergleich zu Alternativen wie SiC-FETs.
So unterscheiden sich GaN- und SiC-Transistoren
Verbindungshalbleiter mit großer Bandlücke lösen in einigen Bereichen der Elektronik Silizium immer mehr ab. Besonders etabliert haben sich in den letzten Jahren Bauelemente auf Galliumnitrid- und Siliziumkarbid-Basis. Doch wo liegen die grundlegenden Unterschiede zwischen beiden und welche Vorteile bieten sie im Automotive-Bereich?
Second Life – Ein zweites Leben für alte Elektrofahrzeug-Batterien
Was passiert mit den durchschnittlich eine halbe Tonne wiegenden Batterien von E-Autos, wenn sie nicht mehr genügend Ladung für den Antrieb speichern können? Eine Antwort darauf ist Second Life, also Wiederverwendung.
SiC für Elektrofahrzeuge benötigt neue Aufbau- und Verbindungstechnik
Der Entwicklungsfokus bei SiC-Anwendungen wendet sich der Kostensenkung zu, um mit den etablierten Si-IGBT-Lösungen im Wettbewerb bleiben zu können. Gerade in der Aufbau- und Verbindungstechnik bei SiC-Modulen ist die Technologie noch nicht ausentwickelt.
GaN-FETs im E-Auto: Design-Herausforderungen bei hohen Frequenzen
Beim Bordladegerät (OBC) von EV haben höhere Laderaten zu einer Leistungsanhebung auf 22 kW geführt. Aber gleichzeitig muss der OBC in den vorhandenen Einbauraum passen und darf nicht überhitzen. Dies ist mit GaN-FETs auch heute schon realisierbar.
750-V-SiC-FETs für die nächste Generation an Elektrofahrzeugen
Die Leistungsvorteile von Bauelementen mit Wide-Bandgap-Prozesstechnologien sind mittlerweile anerkannt. Mit weiteren Innovationen auf architektonischer Ebene besteht die klare Aussicht, dass sie den EV-Betrieb noch effizienter gestalten und Verluste minimieren.