Renesas schließt zehnjährigen Liefervertrag für SiC mit Wolfspeed

Die Liefervereinbarung umfasst 150-mm-Wafer und ab dem Jahr 2025 auch 200-mm-SiC-Substrate. Mit der Lieferung der Wafer soll Renesas den Weg ebnen, die Produktion von SiC-Leistungshalbleitern ab 2025 zu steigern. Sobald das von Wolfspeed angekündigte John Palmour Manufacturing Center for Silicon Carbide in North Carolina fertiggestellt ist, soll die Lieferung mit 200-mm-Wafern auch von dort aus an Renesas erfolgen.

Die mehrere Milliarden Dollar teure Anlage soll die derzeitige Siliziumkarbid-Produktionskapazität von Wolfspeed auf dem Campus in Durham, North Carolina, um mehr als das Zehnfache erhöhen. In der Anlage werden hauptsächlich 200-mm-Siliziumkarbid-Wafer hergestellt, die 1,7-mal größer sind als 150-mm-Wafer, was zu mehr Chips pro Wafer und letztlich zu niedrigeren Bauelementekosten führt.

Mit dem Deal ist Renesas in bester Gesellschaft. In letzter Zeit mehren sich die Berichte, dass SiC-Kontingente gesichert sind, beispielsweise Stellantis (von Infineon), Infineon selbst und, BorgWarner (ebenfalls von Wolfspeed)

Auch Renesas reagiert auf den erhöhten Bedarf an Leistungshalbleitern mit einem Ausbau der Fertigungskapazitäten. Das nimmt die Produktion von IGBTs in der Kofu-Fabrik wieder auf und hat die Einrichtung einer SiC-Produktionslinie in der Takasaki-Fabrik bekanntgegeben.

Warum ist Siliziumkarbid so wichtig für Elektromobilität und Industrie?

Im Vergleich zu herkömmlichen Silizium-Leistungshalbleitern ermöglichen SiC-Bauelemente einen höheren Wirkungsgrad, eine größere Leistungsdichte und niedrigere Systemkosten. Letzteres kommt vor allem durch einen geringeren Kühlaufwand und kleinere passive Bauelemente zustande, was Abmessungen und Gewicht der Systeme verringert. Der Einsatz von SiC in zahlreichen großvolumigen Anwendungen wie Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien inkl. Speichermedien, Ladeinfrastrukturen, industriellen Stromversorgungen, Traktions- und drehzahlvariablen Antrieben wird immer weiter vorangetrieben.