Gut vorbereitet auf die Nachfrage der Elektromobiltät: Peter Schiefer, Division President Automotive bei Infineon. (Bild: Infineon Technologies)
Als ersten Schritt zu einer möglichen mehrjährigen Lieferkooperation für Siliziumkarbid-Halbleiter (SiC) haben Infineon Technologies und Automobilhersteller Stellantis ein nichtbindendes Memorandum of Understanding unterzeichnet. Demnach würde Infineon Fertigungskapazitäten reservieren und Bare-Die-Chips in der zweiten Hälfte des Jahrzehnts an die direkten Tier-1-Lieferanten von Stellantis liefern. Das potenzielle Beschaffungsvolumen und die Kapazitätsreservierung haben einen Wert von deutlich mehr als einer Milliarde Euro. Im Gespräch ist die Lieferung der Chips CoolSiC Gen2p 1200 V und CoolSiC Gen2p 750 V für Elektrofahrzeuge.
Laut Peter Schiefer, Division President Automotive bei Infineon, ist das Unternehmen dank kontinuierlicher Investitionen in die Fertigungskapazitäten gut aufgestellt, um die wachsende Nachfrage nach Leistungselektronik für die Elektromobilität zu bedienen. Im Jahr 2024 etwa nimmt eine neue Fabrik für SiC-Technologien in Kulim, Malaysia, die Produktion auf.
Erst kürzlich hatten Jaguar Land Rover und Wolfspeed haben eine strategische Partnerschaft für die Belieferung mit Siliziumkarbid-Halbleitern bekanntgegeben. Die Technologie soll für die nächste Generation von Jaguar- und Land-Rover-Elektrofahrzeugen die Effizienz des Antriebs sowie die Reichweite erhöhen.
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