Entwurf_300mmFertigung_TI

Entwurfskonzept für die neuen 300-Millimeter-Halbleiter-Wafer-Fertigungen von TI in Sherman, Texas. Der Bau der ersten und zweiten Fabrik soll 2022 beginnen. (Bild: Texas Instruments)

Texas Instruments (TI) will im nächsten Jahr mit dem Bau neuer 300-Millimeter-Halbleiter-Wafer-Fabriken (Fabs) in Sherman, Texas, beginnen. Der Standort bietet Potenzial für bis zu vier Fabs, der Baubeginn für die beiden ersten Fabriken ist für 2022 geplant. Die Produktion der ersten Fabrik soll bereits 2025 beginnen. Mit den vier Fabs könnte das Investitionspotenzial am Standort insgesamt rund 30 Milliarden US-Dollar erreichen und im Laufe der Zeit somit 3000 direkte Arbeitsplätze schaffen.

Die neuen Fabriken ergänzen die bestehenden 300-mm-Fabriken von TI, zu denen DMOS6 (Dallas, Texas), RFAB1 und die in Kürze fertig werdende RFAB2 (beide in Richardson, Texas) gehören, die in der zweiten Hälfte des Jahres 2022 die Produktion aufnehmen soll. Außerdem wird die kürzlich von TI übernommene LFAB (Lehi, Utah) voraussichtlich Anfang 2023 in Betrieb gehen.

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