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IGBT

Abkürzung für: Insulated Gate Bipolar Transistor
Definition: Bipolartransistor mit isolierter Gate-Elektrode; Verwendung vorrangig in der Leistungselektronik (600 V bis etwa 6 kV); wird für hohe Schaltfrequenzen zunehmend von GaN-Bauelementen (höhere Sättigungsgeschwindigkeit der Ladungsträger) und im Bereich sehr hoher Spannungen von SiC-Bauelementen (höhere Wärmeleitfähigkeit) verdrängt.
Kategorie: Bauelemente
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