JamesTang_ExecutiveVicePresidentMobility_Delta Electronics(li)+AmichaiRo_SeniorVicePresidentEmbedded Processing_TI

James Tang, Executive Vice President of Mobility und Leiter der Electric Vehicle Solutions Business Group von Delta Electronics (li), und Amichai Ron, Senior Vice President for Embedded Processing bei TI, besiegeln die Zusammenarbeit. (Bild: Texas Instruments)

Texas Instruments (TI) gibt eine langfristige Kooperation mit Delta Electronics bekannt. Ziel ist die Entwicklung einer neuen Generation von On-Board-Lade- und Stromversorgungslösungen für Elektrofahrzeuge (EV). Die Entwicklungsarbeit wird in einem gemeinsamen Innovationslabor im taiwanesischen Pingzhen erfolgen und sich auf die Forschungs- und Entwicklungsfähigkeiten beider Unternehmen in den Bereichen Power Management und Power Delivery stützen. Gemeinsam wollen beide die Leistungsdichte, die Leistungsfähigkeit und den Platzbedarf optimieren, um sicherere und erschwinglichere EVs mit kürzeren Ladezeiten zu ermöglichen.

Drei Entwicklungsphasen für Automotive-Power-Lösungen

Im Fokus der ersten Phase der Kooperation steht die Entwicklung eines leichteren On-Board-Ladegeräts mit 11 kW Leistung durch Delta. Dabei kommen die Echtzeit-Mikrocontroller (MCU) der C2000-Serie sowie die proprietären aktiven EMI-Filter-Produkte von TI zum Einsatz. Es gilt, die Abmessungen des Ladegeräts um 30 % zu verringern und gleichzeitig einen Umwandlungswirkungsgrad von bis zu 95 % zu erzielen.

In Phase zwei nutzen TI und Delta die MCUs für Automotive-Anwendungen, damit Automobilhersteller ASIL (Automotive Safety Integrity Level) bis Stufe D erreichen können, was den Sicherheitsanforderungen im Automobilbereich entspricht. Hochintegrierte isolierte Gatetreiber für Automobilanwendungen sollen die Leistungsdichte der Bordladegeräte weiter anheben und gleichzeitig deren Abmessungen insgesamt minimieren.

In der dritten Phase schließlich werden die Unternehmen gemeinsam die nächste Generation von Automotive-Power-Lösungen entwickeln und dabei von der Erfahrung von TI in der Entwicklung und Herstellung von Produkten auf GaN-Basis (Galliumnitrid) profitieren.

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