Qorvo übernimmt mit United Silicon Carbide (UnitedSiC) einen Anbieter von Siliziumkarbid-Leistungshalbleitern. (Bild: Qorvo)
Der Anbieter von HF-Lösungen Qorvo hat United Silicon Carbide (UnitedSiC) mit Sitz in New Jersey übernommen, einen Hersteller von Leistungshalbleitern aus Siliziumkarbid (SiC). Das Unternehmen wird Teil des Geschäftsbereichs Infrastructure & Defense Products (IDP) von Qorvo. Die Aufnahme von UnitedSiC in das IDP-Geschäft soll die Marktchancen bei Hochleistungsanwendungen erheblich erweitern.
Das Angebot von UnitedSiC umfasst mehr als 80 SiC-FETs, JFETs und Schottky-Dioden. Die kürzlich vorgestellten SiC-FETs der vierten Generation basieren auf einer Kaskodenkonfiguration und sind mit 750 V bei 5,9 mΩ RDS(on) spezifiziert. Damit bietet sich der Einsatz in den Bereichen EV-Ladegeräte, DC/DC-Wandler, Traktionsantriebe als auch Telekommunikations-/Server-Netzteile, drehzahlgeregelte Motorantriebe und Solar-Photovoltaik-Wechselrichter an.
