Kunden und Partner treffen sich mit Samsung Foundry zur jährlichen Veranstaltung in München. (Bild: Samsung Electronics)
Zusammen mit Kunden und Partnern des Samsung Advanced Foundry Ecosystems (Safe) präsentierte Samsung Electronics auf dem jährlichen Samsung Foundry Forum (SFF) Europe die neuesten technologischen Trends und eine auf den europäischen Markt zugeschnittene Geschäftsstrategie. So verstärkt der umsatzstärkste Halbleiterhersteller seit der ersten Teilnahme an der IAA Mobility 2023 im September das Engagement bei Spezialprozessen für Automobilkunden auf dem europäischen Markt und festigt die Präsenz als Foundry-Partner. Das Unternehmen kündigte eine Roadmap für fortgeschrittene Prozesse an und will die Fähigkeit zur Massenproduktion eines 2-nm-Prozesses für Automobilanwendungen bis 2026 abschließen.
Um den Anforderungen auf dem Automobilmarkt gerecht zu werden, will Samsung die erste 5-nm-eMRAM-Lösung für die Automobiltechnologie der Zukunft entwickeln. eMRAM ist ein Speicher der nächsten Generation, der in Automobilanwendungen eine hohe Lese- und Schreibgeschwindigkeit sowie eine hohe Wärmebeständigkeit ermöglicht. Seit der Entwicklung und Massenproduktion des ersten 28 nm FD-SOI-basierenden eMRAM im Jahr 2019 treibt Samsung die Entwicklung basierend auf 14 nm FinFET für AEC-Q100-Grade-1-Anwendungen voran. Geplant ist, das Portfolio bis 2024 um 14 nm, bis 2026 um 8 nm und bis 2027 um 5 nm zu erweitern. Die 8 nm eMRAM-Lösung weist eine um 30 Prozent höhere Dichte und eine um 33 Prozent höhere Geschwindigkeit als die 14-nm-Technologie auf.
Prozesslösungen von innovativ bis legacy
Auch das 8 Zoll BCD-Prozessportfolio soll sich erweitern. Der BCD-Prozess kombiniert die Prozesstechnologien Bipolar (B), CMOS (C) und DMOS (D) auf einem Chip und kommt meist bei der Herstellung von Leistungshalbleitern zum Einsatz. Samsung will das derzeitige 130-nm-BCD-Portfolio für Kraftfahrzeuge bis 2025 um 90 nm erweitern. Beim 90-nm-BCD-Prozess soll die Chipfläche um 20 Prozent kleiner als beim 130-nm-Prozess sein. Durch die Implementierung der Deep-Trench-Isolation-Technologie (DTI) erweitert sich dank der höheren Spannungen von bis zu 120 V anstelle von 70 V die Palette möglicher Anwendungen. Bis 2025 wird ein Prozessentwicklungskit (PDK) bereitstehen, das den 130-nm-BCD-Prozess bis 120 V befähigt.
Des Weiteren hat Samsung die Gründung der Multi-Die Integration (MDI) Alliance in Zusammenarbeit mit den Safe-Partnern sowie Akteuren in den Bereichen Speicher, Gehäusesubstrat und Tests abgeschlossen.
