Die Hybrid-IGBTs der RGWxx65C-Serie mit SiC-Schottky-Barrierediode sind nach Automotive-Zuverlässigkeitsstandard AEC-Q101 qualifiziert.
Die Bauelemente RGW60TS65CHR, RGW80TS65CHR und RGW00TS65CHR im TO-247N-Gehäuse sind für Nennströme von 30 A, 40 A und 50 A ausgelegt. Sie eignen sich für Automobil- und Industrieanwendungen, die große Leistungen verarbeiten. Dazu gehören Photovoltaik-Leistungsregler, Onboard-Ladegeräte und DC/DC-Wandler in elektrischen und elektrifizierten Fahrzeugen.
Die Serie verwendet die SiC-Schottky-Barrieredioden von Rohm als Freilaufdiode. Diese weist nahezu keine Erholungsenergie auf und hat somit minimale Schaltverluste. Da der Rückspeisestrom beim Einschalten nicht vom IGBT verarbeitet werden muss, wird der Einschaltverlsut des IGBT deutlich reduziert. Beides zusammen führt beim Einsatz in Kfz-Ladegeräten zu einem bis zu 67 % geringeren Verlust im Vergleich zu herkömmlichen IGBTs und 24 % weniger Verlust gegenüber Super-Junction-MOSFETs (SJ-MOSFETs).
Diskutieren Sie mit