Micron hat auf der Automotive Computing Conference in München seine neue Automotive UFS 4.1-Speicherlösung vorgestellt. Die Technologie adressiert steigende Anforderungen durch KI und vernetzte Fahrzeugsysteme.
Micron liefert erste Automotive-UFS-4.1-Muster aus. Die neue Version bringt höhere Transferraten, kürzere Bootzeiten und eine robustere Auslegung für Temperatur und Schreibzyklen – passend für ADAS- und KI-Daten im Fahrzeug.Micron
Anzeige
Auf einen Blick: Microns Automotive UFS 4.1
Doppelte Bandbreite für KI und ADAS: Microns UFS 4.1 liefert bis zu 4,2 GB/s und beschleunigt KI-Modelle, Sensorfusion und Sprachsteuerung im Fahrzeug
G9 NAND für extreme Bedingungen: Erste 3D-NAND-Generation von Micron mit AEC-Q104-Qualifikation; bis +115 °C Temperaturtoleranz und hohe Zyklenfestigkeit.
Einsatz in zentralen Fahrzeugsystemen: Speziell für Domänencontroller, Edge-AI, Infotainment und Flottenbetrieb mit OTA-Updates und Telemetrie entwickelt.
Automotive UFS 4.1 ist eine Speicherlösung für Fahrzeuge, die große Datenmengen schnell, zuverlässig und dauerhaft verarbeiten muss. Die von Micron entwickelte Komponente erreicht eine maximale Datenbandbreite von 4,2 GB/s – doppelt so viel wie der Vorgängerstandard UFS 3.1 – und richtet sich an Anwendungen wie Fahrerassistenzsysteme (ADAS), autonome Fahrfunktionen, vernetzte Cockpits und Edge-KI-Plattformen im Auto. Die Technologie ist darauf ausgelegt, beim Fahrzeugstart sofort betriebsbereit zu sein, mehrere KI-Modelle parallel zu verwalten, große Sensordatenmengen zu verarbeiten und langfristig stabil unter extremen Temperaturbedingungen zu arbeiten.
Zum Einsatz kommt die Schnittstelle vor allem in zentralisierten Fahrzeugarchitekturen, wo Speicherlösungen für Datenlogging, Modellbereitstellung und Systemsicherheit eine entscheidende Rolle spielen. Die Integration von Funktionen wie Host-Initiated Defragmentation, Telemetrie und Boot-Optimierung erweitert den Nutzungsbereich über klassische Infotainment-Systeme hinaus in sicherheitskritische und KI-getriebene Steuerungssysteme. Vorgestellt wurde die Lösung erstmals auf der Automotive Computing Conference (13.–14. November 2025) in München.
Anzeige
Welche technischen Merkmale bietet die Speicherlösung?
Schnittstelle/Bandbreite: Bis zu 4,2 GB/s – doppelte Geschwindigkeit im Vergleich zur UFS 3.1-Vorgängerversion.
Temperaturbereich: Betrieb zwischen ‑40 °C und +115 °C – oberhalb des JEDEC-Standards (105 °C).
Zyklenfestigkeit: Bis zu 100.000 P/E-Zyklen im SLC-Modus; 3.000 im TLC-Modus.
Defragmentierung: Host-Initiated Defragmentation für gleichmäßige Performance.
Sicherheit: ASIL-B (ISO 26262), Softwareentwicklung nach ASPICE Level 3, Cybersecurity nach ISO/SAE 21434.
Monitoring: Telemetrie und Fehlererkennung auf Bauteilebene für Predictive Maintenance und Zuverlässigkeit.
Welche Anwendungen werden mit UFS 4.1 adressiert?
Anzeige
Am Stand von Micron auf der Automotive Computing Conference 2025 in München konnten sich Interessierte zum Flash-Speicherbaustein für Automotive-Systeme informieren.Redaktion all-electronics.de
Microns Automotive UFS 4.1 ist für Anwendungen mit hohem Speicherbedarf in modernen Fahrzeugarchitekturen konzipiert. Dazu zählen zentrale Steuergeräte für ADAS und automatisiertes Fahren, die große Sensordatenmengen lokal erfassen und verarbeiten müssen. Die Lösung unterstützt auch Edge-AI-Anwendungen, etwa für Objekterkennung oder Sprachverarbeitung, bei denen KI-Modelle direkt im Fahrzeug betrieben und dynamisch gewechselt werden.
Im Bereich Infotainment und Navigation sorgt die hohe Bandbreite für kurze Ladezeiten und parallelen Zugriff auf Medien-, Karten- und Personalisierungsdaten. Auch für das Flottenmanagement ist UFS 4.1 relevant: Die robuste Speicherarchitektur ermöglicht langfristiges Datenlogging, unterstützt OTA-Updates und liefert Telemetriedaten für Wartung und Systemüberwachung.
Die Automotive UFS 4.1 von Micron basiert auf der eigenen 9. Generation 3D NAND (G9 NAND), einer Flash-Technologie mit hoher Layeranzahl, die für den Dauereinsatz im Automobil qualifiziert ist. Die G9 NAND ist laut Micron die erste dieser Generation, die den strengen Automobilstandard AEC-Q104 erfüllt – ein zentraler Nachweis für mechanische, thermische und elektrische Zuverlässigkeit in komplexen Systemen.
Der Vorteil dieser NAND-Generation liegt in der Kombination aus hoher Speicherdichte, langen Schreib-/Lesezyklen (bis zu 100.000 P/E-Zyklen im SLC-Modus) und einem stabilen Betrieb im erweiterten Temperaturbereich von ‑40 bis +115 °C. Damit lassen sich Systeme realisieren, die bei laufendem Fahrzeugbetrieb kontinuierlich Daten erfassen, abspeichern und KI-Modelle lokal aktualisieren. Durch die kompakte Struktur der G9 NAND können außerdem kleinere Bauformen bei gleichzeitig größerer Kapazität umgesetzt werden – ein Vorteil für platzkritische Fahrzeugarchitekturen.
