In seinem Werk in Norrköping in Schweden hat STMicroelectronics die ersten SiC-Wafer mit einem Substratdurchmesser von 200 mm gefertigt. Dies stellt einen Meilenstein im Kapazitätsausbau im Automobil- und Industriesektor dar.

In seinem Werk in Norrköping in Schweden hat STMicroelectronics die ersten SiC-Wafer mit einem Substratdurchmesser von 200 mm gefertigt. Dies stellt einen Meilenstein im Kapazitätsausbau im Automobil- und Industriesektor dar.

Die 200-mm-SiC-Wafer von STMicroelectronics sollen ein hohes Qualitätsniveau mit einem Minimum an Fehlern und Kristallversetzungs-Defekten aufweisen. Diese Fehler im SiC-Kristall sind die Hauptursache für niedrige Ausbeute in der Waferfertigung. Hierbei brachte der Bereich STMicroelectronics Silicon Carbide A.B. sein Know-how ein: 2019 hatte der Hersteller das Unternehmen Norstel A.B. aufgekauft.

Abgesehen von der Bewältigung der Qualitäts-Herausforderungen erfordert der Umstieg auf 200 mm große SiC-Substrate einen Schritt nach vorn bei den Fertigungsanlagen und in der Leistungsfähigkeit der gesamten Support-Infrastruktur. Zusammen mit seinen Technologiepartnern entlang der gesamten Lieferkette entwickelt ST eigene Anlagen und Prozoesse für die 200-mm-SiC-Produktion.

Die SiC-Strategie von STMicroelectronics

Der Umstieg auf den größeren Substratdurchmesser (bisher lag er bei 150 mm) ist Bestandteil des geplanten Umstiegs des Unternehmens auf eine fortschrittlichere, kosteneffizientere Massenproduktion von 200-mm-SiC-Wafern. Diese Umstellung wiederum ist Teil der bestehenden Pläne des Unternehmens zum Bau einer neuen Fertigungsstätte für SiC-Substrate und zum Bezug von mehr als 40 Prozent seiner SiC-Substrate aus internen Quellen bis zum Jahr 2024.

„Der Wechsel zu 200 mm großen SiC-Wafern wird entscheidende Vorteile für unsere Automotive- und Industriekunden bringen, deren Initiativen zur Elektrifizierung ihrer Systeme und Produkte weiter an Tempo zulegen“, sagt Marco Monti, President der Automotive and Discrete Group von STMicroelectronics. „Wichtig ist der Umstieg auch zur Verstärkung der Skaleneffekte beim Hochfahren der Produktionsstückzahlen. Der Aufbau eines robusten Know-hows in unserer internen SiC-Infrastruktur über die gesamte Produktionskette, von den hochwertigen SiC-Substraten bis hin zur Großserien-Front-End- und Back-End-Produktion stärkt unsere Flexibilität und ermöglicht es uns, die Verbesserung der Ausbeute und Qualität unserer Wafer besser zu kontrollieren.“

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