Elektronik-Fertigung

08. Jul. 2024 | 09:15 Uhr | von Jessica Mouchegh

SiCrystal verdreifacht Gesamtproduktionskapazität

Neubau von SiCrystal erweitert SiC-Wafer-Produktion

Mit einem Neubau schafft SiCrystal 6.000 Quadratmeter zusätzliche Produktionsfläche für SiC-Substrate. Nach Abschluss der Bauarbeiten soll sich die Gesamtproduktionskapazität damit verdreifachen.

Sycrystal_SiC_Produktionserweiterung_Spatenstich

Beim Spatenstich für den Neubau zur Produktionsflächenerweiterung (v.l.): Jürgen Voit und Daniel Polzin (Systeambau), Volker Petersik und Dr. Robert Eckstein (SiCrystal), Dr. Andrea Heilmaier (Wirtschaftsreferentin), Oberbürgermeister Marcus König, Takashi Shimane und Dr. Erwin Schmitt (SiCrystal), Harald Lötsch (Systeambau) (Bild: SyCrystal)

SiCrystal, Spezialistin für einkristalline Siliziumkarbid-Halbleiterwafer (SiC) und Tochtergesellschaft der japanischen Rohm-Gruppe, wird im Nordosten Nürnbergs, direkt gegenüber dem bestehenden Standort, neue Produktionsflächen schaffen. Das neue Gebäude bietet zusätzliche 6.000 Quadratmeter Produktionsfläche. Damit wird die Gesamtproduktionskapazität des Unternehmens einschließlich des bestehenden Gebäudes im Jahr 2027 etwa dreimal so hoch sein wie 2024.

Die Bauarbeiten sollen bis Anfang 2026 abgeschlossen sein. Bis zum Ende des Geschäftsjahres 2027/28 strebt SiCrystal an, die Zahl der Arbeitsplätze um mehr als 100 zu erhöhen. Der Neubau entsteht in Zusammenarbeit mit dem Generalunternehmer Systeambau aus Hilpoltstein.

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