MRAM aktualisiert Code schneller als Flash-Speicher und minimiert so Ausfallzeiten durch OTA-Updates. (Bild: NXP)
NXP Semiconductors arbeitet gemeinsam mit TSMC an der Entwicklung des ersten Embedded MRAM-Speichers (Magnetic Random Access Memory) in 16 nm FinFET-Technologie.
Mit der Umstellung auf das softwaredefinierte Fahrzeug (SDV) müssen Automobilhersteller mehrere Generationen von Software-Upgrades auf einer einzigen Hardwareplattform unterstützen. Die Kombination der S32-Automobilprozessoren von NXP mit den TSMC-Speichern der nächsten Generation in 16 nm FinFET-Technologie bietet eine Hardwareplattform für diesen Übergang.
In softwaredefinierten Fahrzeugen lassen sich neue Komfort-, Sicherheits- und Bedienfunktionen über Over-the-Air-Updates (OTA) einführen. Und mit der zunehmenden Verbreitung softwarebasierender Funktionen in Fahrzeugen nimmt auch die Häufigkeit von Aktualisierungen zu. Geschwindigkeit und Ausfallsicherheit werden also weiter an Bedeutung gewinnen.
MRAM kann 20 MB Code in weniger als drei Sekunden aktualisieren, Flash-Speicher benötigen dazu etwa eine Minute. Das minimiert mit Software-Updates verbundene Ausfallzeiten und verkürzt Modulprogrammierzeiten. Die 16FinFET-Embedded-MRAM-Speichertechnologie von TSMC unterstützt Reflow-Lötverfahren und übertrifft mit bis zu einer Million Aktualisierungszyklen und einer 20-jährigen Datenspeicherung bei 150°C die Anforderungen an Automobilanwendungen.
Die nächste Generation der NXP S32-Zonenprozessoren und Universal-MCUs für den Automobilbereich wird voraussichtlich ab Anfang 2025 als Produktmuster verfügbar sein. Prototypen sind fertiggestellt und werden gerade ausgewertet.
