Die Chipproduktion auf 300-mm-Wafern ist effizienter als auf 200-mm-Wafern, da der größere Durchmesser 2,3-mal mehr Chips pro Wafer bietet. (Bild: Infineon Technologies)
Leistungshalbleiter auf GaN-Basis finden zügige Verbreitung in Anwendungen wie Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter oder Motorsteuerungssysteme. Schätzungen zufolge erreicht der GaN-Markt bis zum Ende des Jahrzehnts mehrere Milliarden US-Dollar. Die verbesserte Leistung der Bauelemente ermöglicht eine höhere Effizienz, geringere Größe und weniger Gewicht sowie niedrigere Gesamtkosten von Anwendungen der Endkunden. Dazu kommt Versorgungsstabilität durch Skalierbarkeit.
Infineon Technologies hat 300-mm-Galliumnitrid-Wafer (GaN) auf einer integrierten Pilotlinie in der 300-mm-Siliziumproduktion in der Power-Fab in Villach (Österreich) hergestellt und will die GaN-Kapazitäten entsprechend den Marktbedürfnissen weiter ausbauen. Ein wesentlicher Vorteil der neuen Technologie besteht darin, dass sich bestehende 300-mm-Fertigungsanlagen für Silizium nutzen lassen, da sich Galliumnitrid und Silizium in den Fertigungsprozessen sehr ähnlich sind. Die bestehenden 300-mm-Silizium-Produktionslinien von Infineon sind ideal, um eine zuverlässige GaN-Technologie auf den Weg zu bringen sowie eine beschleunigte Einführung und einen effizienten Kapitaleinsatz zu ermöglichen. Eine vollständig skalierte 300-mm-GaN-Produktion soll dazu beitragen, dass die Kosten von GaN mit denen von Silizium in Bezug auf RDS(on)-Kennwerte gleichziehen.
Auf der Branchenmesse electronica im November 2024 in München stellt das Unternehmen die ersten 300-mm-GaN-Wafer der Öffentlichkeit vor.
