Im Juni starten die Bauarbeiten für die neue Frontend-Fertigung von Infineon in Malaysia. (Bild: Infineon Technologies)
Mit dem Aufbau weiterer Fertigungskapazitäten im Bereich der Verbindungshalbleiter stärkt Infineon ihre Position auf dem Markt für Leistungshalbleiter. Das Unternehmen investiert mehr als zwei Milliarden Euro in ein drittes Modul am Standort Kulim, Malaysia. Bei voller Auslastung wird es zwei Milliarden Euro weiteren Jahresumsatz mit Produkten auf Basis von Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) ermöglichen. Kulim 3 wird bei voller Auslastung 900 Arbeitsplätze schaffen. Im Juni starten die Bauarbeiten und im Sommer 2024 soll die neue Fabrik ausrüstungsbereit (ready for equipment) sein. Die ersten gefertigten Wafer verlassen die Fertigung im zweiten Halbjahr 2024. Die Investition in Kulim wird Prozesse mit großer Wertschöpfungstiefe umfassen, insbesondere Epitaxie sowie die Vereinzelung von Wafern.
Bereits heute beliefert Infineon mehr als 3000 Kunden mit SiC-basierenden Halbleitern. Schwerpunktanwendungen sind die Bereiche industrielle Stromversorgung, Photovoltaik, Transport, Antriebstechnik, Automotive sowie Ladestationen für Elektrofahrzeuge. Bis Mitte des Jahrzehnts strebt das Unternehmen einen Umsatz von einer Milliarde US-Dollar mit SiC-Leistungshalbleitern an. Auch für den GaN-Markt wird ein starkes Wachstum erwartet: von 47 Mio. US-Dollar (2020) auf 801 Mio. US-Dollar im Jahr 2025 (durchschnittliche jährliche Wachstumsrate: 76 %).
Der Standort in Villach wird durch die Umwandlung existierender Siliziumanlagen in den kommenden Jahren weiterhin als Innovationsbasis und globales Kompetenzzentrum für Verbindungshalbleiter dienen. Durch die Wiederverwendung nichtspezifischer Ausrüstung werden bestehende 150- und 200-Millimeter-Silizium-Fertigungslinien auf SiC and GaN umgerüstet.
