GaN-FETs im CCPAK1212i eignet sich auch als Schaltlösung für industrielle Anwendungen. (Bild: Nexperia)
GaN-FET-Bauelemente von Nexperia, die auf der Hochspannungs-GaN-HEMT-Technologie der nächsten Generation in einem proprietären Kupfer-Clip-Gehäuse (CCPAK) für die Oberflächenmontage basieren, sind jetzt für Entwickler industrieller und erneuerbarer Energieanwendungen verfügbar.
Damit weitet das Unternehmen diesen Gehäuseansatz auf GaN-Kaskodenschalter in CCPAK aus: Der Galliumnitrid (GaN) FET GAN039-650NTB im CCPAK1212i Oberseiten-Kühlgehäuse ist ein Halbleiter mit breiter Bandlücke und Kupfer-Clip-Packaging für Anwendungen im Bereich der erneuerbaren Energien wie etwa Solaranlagen und Wärmepumpen für Wohngebäude. Die Technologie eignet sich auch für diverse industrielle Anwendungen wie Servoantriebe, Schaltnetzteile (SMPS), Server und Telekommunikation.
Wahlweise ober- oder untergekühlt
Das oberflächenmontierbare CCPAK-Gehäuse nutzt Nexperias Kupfer-Clip-Gehäusetechnologie, um interne Bonddrähte zu ersetzen. Das reduziert parasitäre Verluste, optimiert die elektrische und thermische Leistung und verbessert die Zuverlässigkeit der Bauteile. Um die Wärmeableitung weiter zu verbessern, sind diese CCPAK-GaN-FETs in ober- oder unterkühlten Konfigurationen erhältlich.
Die Kaskodenkonfiguration des GAN039-650NTB ermöglicht eine besonders gute Schalt- und Durchlassleistung mit einem robusten Gate, das hohe Rauschspannen bietet. Diese Eigenschaft vereinfacht auch Anwendungsdesigns, da keine komplexen Gate-Treiber und Steuerschaltungen erforderlich sind. Stattdessen lassen sich die Bausteine bequem mit Standard-Silizium-MOSFET-Treibern betreiben. Die GaN-Technologie von Nexperia verbessert die Schaltstabilität und verringert die Chipgröße um etwa 24 %. Darüber hinaus ist der Einschaltwiderstand RDS(on) des Bausteins auf nur 33 mΩ (typ.) bei 25°C reduziert, mit hoher Schwellenspannung und niedriger Diodenvorwärtsspannung.
Nexperia beginnt das CCPAK-Portfolio mit dem obergekühlten 33 mΩ (typ.), 650 V GAN039-650NTB und wird in Kürze mit der untergekühlten Variante GAN039-650NBB mit demselben RDS(on) folgen.
