SiC: Onsemi wird Hauptlieferant von Volkswagen

Onsemi gibt den Abschluss eines mehrjährigen Vertrags mit der Volkswagen Group bekannt. Demnach fungiert Onsemi künftig als Hauptlieferant einer vollständig optimierten Power-Box-Lösung, die Teil des neuen Traktionswechselrichters auf der skalierbaren Systemplattform SSP (Scalable Systems Platform) der Volkswagen Group ist. Die Lösung basiert auf der aktuellen EliteSiC-M3e-Plattform und umfasst auf Siliziumkarbid basierende Technologien in einem integrierten Modul, das für alle Leistungsstufen skalierbar ist.

Mehr Leistung bei weniger Kosten

Basierend auf den EliteSiC-M3e-Mosfets bewältigt die Lösung mehr Leistung in einem kleineren Gehäuse und reduziert damit die Energieverluste. Drei integrierte, auf einem Kühlkanal montierte Halbbrückenmodule verbessern die Systemeffizienz, sodass Elektrofahrzeuge mit einer einzigen Ladung längere Strecken zurücklegen können. Laut Hassane El-Khoury, Präsident und CEO von onsemi, ermöglicht dieser neue Ansatz die Anpassung der Leistungsanforderungen und die Ergänzung von Funktionen für verschiedene Fahrzeuge, ohne dass die Leistung beeinträchtigt wird, und dies alles bei weniger Kosten.

Die Volkswagen Group wird ebenfalls von der geplanten Investition von Onsemi profitieren, die Produktion von Siliziumkarbid in der Tschechischen Republik auszubauen. Dadurch entsteht eine durchgängige Produktionsanlage in Europa für das Traktionswechselrichter-System. Die geographische Nähe der Produktionsstätte wird die Lieferkette der Volkswagen Group stärken und eine schnellere Integration in den Fertigungsprozess ermöglichen.

Das System soll Ladezeiten von etwa zwölf Minuten ermöglichen und automatisiertes Fahren auf Level vier beherrschen, die Vorstufe zum komplett autonomen Fahren. VW plant ab voraussichtlich 2028 mit der neuen Architektur, bis dahin soll auch das neue Werk von Onsemi in Tschechien fertig sein.

Nur kurz vorher hatte Onsemi mit den EliteSiC-M3e-Mosfets die jüngste Generation von Siliziumkarbid (SiC)-Technologieplattformen vorgestellt und gab außerdem Pläne bekannt, bis 2030 mehrere weitere Generationen auf den Markt zu bringen. Diese Mosfets sollen eine grundlegende Rolle dabei spielen, die Leistung und Verlässlichkeit von elektrischen Systemen der nächsten Generation zu niedrigeren Kosten pro Kilowatt bereitzustellen. Die Systeme arbeiten bei höheren Schaltfrequenzen und Spannungen und minimieren gleichzeitig die Verluste bei der Leistungsumwandlung. Damit bietet sich der Einsatz in Automobil- und Industrieanwendungen an, etwa elektrische Fahrzeugantriebe, Gleichstrom-Schnellladegeräte, Solarwechselrichter und Energiespeicherlösungen. Darüber hinaus soll die Plattform den Übergang zu effizienteren Rechenzentren mit höherer Leistung ermöglichen, um den exponentiell steigenden Energiebedarf für nachhaltige künstliche Intelligenz zu decken.

Im Vergleich zu früheren Generationen reduziert die Plattform die Leitungsverluste um 30 Prozent und die Abschaltverluste um bis zu 50 Prozent. Dazu kommt ein besonders niedriger Einschaltwiderstand mit Kurzschlussfähigkeit, entscheidend für den Markt für Traktionswechselrichter, die größte Domäne von SiC. Verpackt in diskreten Leistungsmodulen liefert der 1200-V-M3e-Die wesentlich mehr Phasenstrom als die bisherige EliteSiC-Technologie, was zu einer um 20 Prozent höheren Ausgangsleistung im gleichen Traktionswechselrichtergehäuse führt. Umgekehrt lässt sich eine feste Leistungsstufe nun mit rund 20 Prozent weniger SiC-Anteil auslegen, was die Entwicklung kleinerer und leichterer Systeme ermöglicht. Andere onsemi-Produkten wie Gate-Treiber, DC-DC-Wandler oder Elektroniksicherungen können mit der Plattform kombiniert werden. Der Mosfet im TO-247-4L-Gehäuse ist ab sofort erhältlich.

Anmerkung der Redaktion: In einer früheren Version dieses Artikels wurde berichtet, dass Onsemi sich gegen Infineon in einem Ausschreibeverfahren durchsetzte. Nach Rücksprache mit Infineon ergab sich, dass das Unternehmen sich nicht an einem solchen Verfahren beteiligt hat.