onsemi plant Investitionen in Höhe von bis zu 2 Milliarden US-Dollar in der Tschechischen Republik, um eine Siliziumkarbid-Produktionsanlage zu errichten, die den wachsenden Bedarf an energieeffizienten Halbleitern für Elektrofahrzeuge, erneuerbare Energien und KI-Datenzentren decken soll. Diese Investition wäre eine der größten Privatinvestitionen in der Geschichte der Tschechischen Republik und würde die Position des Landes in der Halbleiterindustrie stärken. (Bild: Onsemi)
Onsemi plant einen vertikal integrierten Siliziumkarbid-Fertigungsstandort (SiC) in Tschechien zu errichten, um dort intelligente Leistungshalbleiter für Anwendungen etwa in Elektrofahrzeugen und KI-Rechenzentren zu produzieren. So will das Unternehmen der großen Nachfrage nach Leistungshalbleitern zur Energieumwandlung und -management gerecht werden, die sich aus der Kombination der Megatrends Elektrifizierung, erneuerbare Energien und künstliche Intelligenz (KI) ergibt.
Engagement für Europa und Tschechien
Das Unternehmen will die SiC-Fertigung mit einer mehrjährigen Brownfield-Investition von bis zu 2 Mrd. USD (44 Mrd. CZK) in Europa erweitern, als Teil des zuvor bekannt gegebenen langfristigen Investitionsziels. Unter Vorbehalt der endgültigen behördlichen Genehmigung und der Gewährung von Förderungen stellt dies eine der größten privatwirtschaftlichen Investitionen in der tschechischen Geschichte dar. Die Investition soll auf den derzeitigen Onsemi-Aktivitäten in der Tschechischen Republik aufbauen, zu denen die Siliziumkristallzüchtung, die Herstellung von Silizium- und Siliziumkarbid-Wafern (poliert und EPI) sowie eine Silizium-Wafer-Fabrik gehören. Bereits heute lassen sich an diesem Standort jährlich mehr als drei Millionen Wafer herstellen, was mehr als einer Milliarde Leistungsbauelemente entspricht. Nach Fertigstellung wird der Betrieb jährlich mehr als 270 Millionen USD (6 Mrd. CZK) zum BIP des Landes beitragen.