300-mm-Fertigung läuft nach Plan
Infineon stärkt Position im GaN-Markt
Infineon ist es als erstem Halbleiterhersteller gelungen, die 300-mm-GaN-Power-Wafer-Technologie innerhalb einer bestehenden Hochvolumen-Fertigungsinfrastruktur zu entwickeln.
(Bild: Infineon Technologies)
Fast ein Jahr nach Ankündigung des Durchbruchs bei der 300-mm-GaN-Wafer-Technologie liegt Infineon mit der Umsetzung der Fertigung voll im Plan. Die Fertigung soll der steigenden Nachfrage nach Galliumnitrid-Halbleitern begegnen.
Infineon Technologies gibt bekannt, dass die Umsetzung der skalierbaren Galliumnitrid-Fertigung (GaN) auf 300-mm-Wafern im Zeitplan liegt und erste Samples im 4. Quartal 2025 zur Verfügung stehen. Die vollständig hochskalierte 300-mm-GaN-Fertigung soll die Kapazitäten für die aktuelle Nachfrage nach hochwertigen GaN-Leistungsprodukten bereitstellen, während das Unternehmen gleichzeitig auf eine Kostenparität für vergleichbare Silizium- und GaN-Produkte zusteuert.
Die Fertigungsstrategie von Infineon basiert in erster Linie auf einem IDM-Modell (Integrated Device Manufacturer), bei dem das Unternehmen den gesamten Halbleiterfertigungsprozess besitzt – von der Entwicklung bis zur Fertigung und zum Verkauf des Endprodukts. Die sogenannte In-House-Fertigungsstrategie bietet Vorteile wie eine hohe Qualität, schnellere Produkteinführung sowie Design- und Entwicklungsflexibilität.
Wo kommen GaN-Chips zum Einsatz?
Infineon hat als erster Halbleiterhersteller Leistungswafer-Technologie auf einer Größe von 300 mm innerhalb einer Hochvolumen-Fertigungsinfrastruktur entwickelt. Die Chip-Produktion ist wesentlich effizienter als auf 200-mm-Wafern, der größere Durchmesser ergibt 2,3-mal mehr Chips pro Wafer. GaN-Leistungshalbleiter zeichnen sich durch hohe Leistungsdichte, schnelle Schaltzeiten und geringe Leistungsverluste aus und kommen vermehrt in industriellen und automobilen Anwendungen zum Einsatz. Weitere Zielapplikationen sind Verbraucher-, Rechen- und Kommunikationsanwendungen wie Stromversorgungen für KI-Systeme, Solarwechselrichter, Ladegeräte und Adapter oder Motorsteuerungssysteme. Marktanalysten erwarten, dass der GaN-Umsatz für Leistungsanwendungen bis 2030 um 36 % pro Jahr auf etwa 2,5 Milliarden US-Dollar steigen wird.