Top 10: Die größten Automotive-Halbleiterunternehmen

Im Fahrzeug von heute sind Halbleiter längst nicht mehr nur unsichtbare Bausteine im Motorsteuergerät – sie sind das Herzstück der gesamten Automobilelektronik und treiben die tiefgreifendsten Veränderungen in der Mobilität voran. Von der elektrischen Antriebssteuerung über das Batteriemanagement bis hin zu hochauflösenden Radar- und Kamerasystemen: Ohne spezialisierte Microcontroller, Power-ICs und Sensorlösungen gäbe es weder E-Mobility noch automatisiertes Fahren in seinen heute angestrebten Stufen. Der globale Automotive-Halbleitermarkt wächst rasant – rund 68 Milliarden US-Dollar flossen 2024 in Fertigung und Entwicklung – und lockt internationale Branchengrößen wie Infineon, NXP und ST Microelectronics an die Spitze.

Hinter diesem Boom stehen drei grundlegende Trends: Erstens die Elektrifizierung von Antrieb und Energiespeicher, die hohe Spannungen und Ströme auf kleinstem Raum sicher und effizient handhaben muss; zweitens Advanced Driver Assistance Systems (ADAS) und erste Autonomous-Driving-Funktionen, die Millimeterwellenradar, Lidar, Bildsensoren und leistungsstarke KI-SoCs vereinen; drittens die rasante Vernetzung von Fahrzeugen, die über 5G-Telematik, sichere Domain-Controller und wzonale E/E-Architekturen orchestriert wird.

Für Elektronikentwickler und OEMs bedeutet das: Die Wahl des passenden Halbleiters ist längst kein reines Komponentenbusiness mehr, sondern eine strategische Partnerschaft. Hersteller mit eigenen 300-mm-Fabs oder engen Foundry-Kooperationen sichern nicht nur zuverlässige Lieferketten, sondern auch Investitionen in die spezifischen Anforderungen der Automobilindustrie – von der hohen Funktionalen Sicherheit (ASIL) bis zur Robustheit gegen extreme Temperaturen und Vibrationen.

Wer den Markt dominiert, zeigt unsere Bildergalerie.

Im Zentrum der aktuellen Entwicklungen im Automotive-Halbleitermarkt steht die Elektrifizierung: Mit dem anhaltenden Boom bei Battery Electric Vehicles (BEVs) wächst der Bedarf an ultraeffizienten Leistungshalbleitern rasant. Insbesondere Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) gewinnen in Traktionsinverter- und Ladeanwendungen an Bedeutung – Marktstudien prognostizieren für diese Technologien jährliche Wachstumsraten von über 19 % bis Ende des Jahrzehnts. Parallel dazu treibt ein Omdia-Report eine durchschnittliche Gesamtmarktwachstumsrate von 12,3 % bis 2025 voran, getrieben durch E-Mobility und ADAS-Integration.

Gleichzeitig verschiebt sich die Fokusierung auf automatisiertes Fahren von reinen Sensorlösungen hin zu hochintegrierten Compute-Plattformen. Domain-Controller, KI-SoCs und spezialisierte ADAS-Chips werden 2025 bereits in Serienfahrzeugen eingesetzt – ein Trend, der wiederum neue „Shift-Left“-Methoden im Chipdesign und die Integration von Generative-AI-Funktionen erfordert, um komplexe Fahrerassistenzauflagen zu erfüllen. Dies schafft enorme Design-Win-Pipelines für Hersteller, die sowohl Hardware als auch vorintegrierte Softwarestacks liefern können.

Ein dritter Treiber ist die Software-definierte Fahrzeugarchitektur. OEMs konsolidieren hunderte von Steuergeräten zu zonalen E/E-Domänen, um Wartung und Updates Over-the-Air (OTA) zu vereinfachen. Gleichzeitig steigt der Stellenwert von 5G-Telematik und V2X-Kommunikation, wodurch Halbleiter mit integrierten Sicherheits-IP und Echtzeit-Netzwerkschnittstellen unabdingbar werden. Das Ergebnis sind Plattformen, die Fahrzeugfunktionen per Software aktivieren und so langfristige Service-Erlöse generieren.

Schließlich prägen Lieferkettenresilienz und geopolitische Diversifikation die Investitionsentscheidungen der Chipanbieter: China fördert massiv den Einsatz heimischer Halbleiter in EVs (der Anteil chinesischer Chips liegt derzeit bei rund 15 %) und zwingt westliche Anbieter zu lokalen Fertigungskooperationen. Zugleich treiben M&A-Aktivitäten wie das Übernahmeangebot von onsemi für Allegro MicroSystems die Konsolidierung voran, um Größenvorteile und breitere Produktportfolios zu sichern.

Wide-Bandgap-Halbleiter (WBG) – insbesondere Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) – haben sich in den letzten Jahren zum Schlüsselfaktor für die nächste Generation der Automotive-Powerelektronik entwickelt. Ihre höheren Bandlücken erlauben Betriebsspannungen von mehreren hundert Volt bei deutlich geringeren Leckströmen und Verlusten als klassische Silizium-Bauelemente. Gleichzeitig profitieren Entwickler von WBG-Materialien durch:

• Höhere Effizienz: In Traktionsinvertern und Onboard-Ladegeräten reduzieren SiC- und GaN-Schalter Schaltverluste um bis zu 50 % im Vergleich zu Si-IGBTs bzw. Si-MOSFETs. Das erhöht die Reichweite von Elektrofahrzeugen und senkt Kühlaufwand sowie Systemkomplexität.
• Kompaktere Bauformen: Dank geringerer Verlustwärme können Filter und Kühlkörper deutlich kleiner ausgelegt werden. Das senkt Gewicht und Bauraum, was insbesondere bei dicht gepackten E-Antriebsmodulen und in der Leistungselektronik von Hochvolt-Bordnetzen entscheidend ist.
• Schnellere Ladezyklen: GaN-Bauelemente im On-Board-Charger erlauben höhere Schaltfrequenzen (> 500 kHz) und damit ultrakompakte DC-DC-Converter, die ultraschnelles Laden bei bis zu 800 V unterstützen – ein klarer Wettbewerbsvorteil im Segment der Schnellladeinfrastruktur.

Einsatzfelder von Wide-Bandgap-Halbleitern im Überblick

• Traktionsinverter: SiC-MOSFETs für 650 V und 1 200 V finden bereits in Serienfahrzeugen von Premium-OEMs Einsatz. Ihre thermische Robustheit und Ausfallsicherheit tragen zur Lebensdauer des E-Antriebs bei und ermöglichen höhere Taktfrequenzen (100 kHz - 200 kHz).
• Onboard-Ladegeräte & DC-DC-Wandler: GaN-Transistoren dominieren bei kompakten 11 - 22 kW-Charger-Plattformen. Höhere Schaltgeschwindigkeiten und niedrigere Gate-Ladungen erlauben schlanke Designs ohne massives Kühlmanagement.
• Hilfssysteme & DC-Buszubehör: WBG-Bausteine tauchen zunehmend in PFC-Stufen, Bordnetz-DC-DC-Wandlern und sogar in Hochvolt-Steuergeräten auf, um Leckströme zu begrenzen und EMV-Vorgaben einzuhalten.

Während SiC bereits eine breite Supply-Chain und mehrere 200-mm-Massenfertigungen etabliert hat, steht GaN vor dem Sprung in 300-mm-Wafertechnik und Automotive-Zertifizierungen (AEC-Q101). Preislich liegen SiC-MOSFETs aktuell noch bei 2 - 3mal höher als vergleichbare Si-Bauelemente, doch Skaleneffekte und neue Fertigungskapazitäten (z. B. onsemi in Tschechien, Infineon in Dresden) senken die Preise rapide.

Siliziumkarbid (SiC) hat sich längst vom Nischenbaustoff zum Schlüsselmaterial für moderne Elektrofahrzeuge entwickelt. Die Industrie baut dabei auf eine klar gegliederte Wertschöpfungskette, in der sich spezialisierte Unternehmen an jeder Stufe ergänzen und – teils über strategische Partnerschaften und Eigentumsverflechtungen – eng verzahnen.

Am Anfang stehen die Hersteller von Boule und Substraten: Konzerne wie II-VI Coherent, TankeBlue, SICC oder Wolfspeed ziehen riesige Einkristalle aus geschmolzenem SiC-Pulver und sägen sie zu kreisrunden Substraten (Wafers) zurecht. Diese groben Halbleiterrohlinge bilden die Grundlage für alle weiteren Veredelungsprozesse – ohne ihre Reinheit und Kristallqualität stünden weder leistungsfähige Leistungshalbleiter noch effiziente Fahrzeugantriebe zur Verfügung.

Auf diese rohe Materialbasis folgt die Epitaxie: Anbieter wie Resonac (ehemals Showa Denko), TYSIC oder das Joint Venture von STMicroelectronics und Norstel erhalten durch Aufwachsen hauchdünne, perfekt geordnete SiC-Schichten. In diesem Schritt wird definiert, welche elektrischen Eigenschaften – beispielsweise Durchbruchspannung oder Leitfähigkeit – das spätere Bauteil haben wird. Hier treten bereits erste enge Bindungen zutage: Norstel, vormals eigenständig im Substratgeschäft aktiv, ist in der Epi-Branche mit ST vereint, während ROHM sein eigenes epitiachales Geschäft über die Übernahme von SiCrystal ausgebaut hat.

Erst danach kommt die dritte Stufe ins Spiel: Fertigung von Leistungshalbleitern und kompletten Leistungsmodulen. Infineon, onsemi, STMicroelectronics, ROHM Semiconductor und BASIC Semiconductor schneiden und strukturieren die epi-Wafer, fügen Metallkontakte und Keramik-Gehäuse hinzu und testen jedes Bauelement auf seine Zuverlässigkeit unter Extrembedingungen. Diese Hersteller sitzen oft selbst an mehreren Kettengliedern – ST beispielsweise hat dank seiner Substrat-To-Module-Strategie eine durchgängige Prozesskontrolle, während Wolfspeed nach eigenen Angaben sowohl Substrate als auch Chips anbietet.

Im letzten Glied werden die SiC-Module von Automobil-OEMs und Systemintegratoren in komplette Antriebsstränge, On-Board-Charger und Leistungselektronik integriert. Namen wie Toyota, Mercedes-Benz, VW oder Tesla stehen hier exemplarisch für verschiedene Integrationsansätze: Toyota etwa setzt traditionell auf bewährte Zuliefererbeziehungen und arbeitet weltweit mit Modulherstellern zusammen, während Tesla und NIO eigene SiC-Module entwickeln oder direkt bei Chip- und Modulproduzenten einkaufen, um maximale Performance für ihre Antriebsstränge zu erzielen.

Hinter dieser Kette stehen teils milliardenschwere Investitionsprogramme: Wolfspeed investiert Milliarden in neue Substratwerke in den USA, Resonac betreibt Fabriken in Japan und China, STMicroelectronics treibt Ausbaupläne in Europa voran. Die Engpässe bei SiC-Wafern haben zuletzt zu engeren Allianzen geführt, etwa in Form von Joint Ventures oder langfristigen Lieferverträgen zwischen Moduleuren und Substrat- bzw. Epi-Anbietern. So sichert sich ein OEM wie Volkswagen frühzeitig Produktionskontingente bei II-VI Coherent und ST, während auf der anderen Seite Modulhersteller garantierte Waferlieferungen für ihre Halbleiterfertigung erhalten.

Diese stark segmentierte, aber hochintegrierte Lieferkette zeigt, wie komplex und globalisiert die moderne Automobilindustrie geworden ist: Jeder Player – vom Chemie-Konzern im Rohstoffsegment bis zum Autobauer im Endkundengeschäft – beeinflusst mit seinen Investitionsentscheidungen und Partnerschaften den Erfolg des gesamten Ökosystems. Mit steigender Nachfrage nach Elektrofahrzeugen und wachsendem Druck auf CO₂-Reduktion wird sich dieser Verbund aus Spezialisten noch weiter verdichten – und möglicherweise neue Konsortien, Übernahmen und strategische Allianzen hervorbringen.

Der globale Automotive-Halbleitermarkt befindet sich in einer Phase tiefgreifender Expansion und Neuausrichtung. Selbst konservative Prognosen bestätigen einen zweistelligen Jahreszuwachs, getragen von mehreren, sich gegenseitig verstärkenden Technologietrends. Die Gründe dafür sind verschieden.

Elektromobilität als Kernwachstumstreiber

Mit dem Siegeszug von Battery-Electric Vehicles (BEV) und Hybridfahrzeugen steigt der Bedarf an hocheffizienten Leistungshalbleitern rasant an. Wide-Bandgap-Technologien wie Siliziumkarbid (SiC) und Galliumnitrid (GaN) ermöglichen in Traktionsinvertern und On-Board-Chargern deutlich geringere Schaltverluste und kompaktere Bauformen. Prognosen rechnen allein für SiC-Bausteine mit jährlichen Steigerungsraten von über 19 % bis Ende des Jahrzehnts. Dies schlägt sich direkt in steigenden Fahrzeugreichweiten, schnelleren Ladezyklen und niedrigeren Systemkosten nieder.

ADAS und autonome Fahrfunktionen

Parallel hierzu beschleunigt die Integration von Advanced Driver Assistance Systems (ADAS) und ersten Autonomiestufen die Nachfrage nach leistungsfähigen Compute-Plattformen und Sensor-Front-Ends. Radar-, Lidar- und Kamerasysteme erfordern neben hochintegrierten KI-SoCs auch schnelle SerDes-Transceiver, um große Datenmengen verzögerungsfrei im Fahrzeugnetz zu verteilen. Analysten prognostizieren für den ADAS-Chipsatzmarkt jährliche Wachstumsraten von bis zu 15 %.

Software-definierte Fahrzeugarchitektur und Vernetzung

Die Konsolidierung hunderter Steuergeräte zu zonalen Domain-Controllern und Gateways wird zur Norm. 5G-Telematik-Chips, sichere CAN- und Automotive-Ethernet-Transceiver, dazu Over-the-Air-Update-Module – all das generiert nicht nur Einmal-Design-Wins, sondern langfristige Service-Erlöse für die OEMs und Zulieferer. Durch diese Plattformansätze verschieben sich Investitionen von reiner Hardware hin zu Systemlösungen mit kontinuierlicher Weiterentwicklung.

Regionale Diversifikation und geopolitische Balance

Die geopolitischen Spannungen, vor allem zwischen USA und China, zwingen Hersteller zu lokaler Fertigung und Partnerschaften. Die chinesische Regierung hat OEMs wie BYD, SAIC und GAC angewiesen, ihren Anteil an lokal beschafften Halbleitern bis 2025 auf 20–25 % zu steigern. Westliche Konzerne wie Infineon, NXP und TI reagieren mit Joint-Ventures in Asien und Ausbauten in Europa, um Versorgungssicherheit zu gewährleisten und Zölle oder Exportkontrollen zu umgehen.

Die Kombination aus Elektrifizierung, automatisiertem Fahren, software-definierten Architekturen und geopolitischer Diversifikation macht den Automotive-Halbleitermarkt zu einem der dynamischsten Segmente der Halbleiterindustrie. Die “Winner-takes-most”-Struktur begünstigt integrierte Systemlieferanten, die neben erstklassiger Hardware auch Software-Stacks, Sicherheits-IP und weltweite Fertigungssicherheit bieten. Dies sichert bereits heute Design-Wins bei führenden OEMs und ebnet den Weg für nachhaltiges Wachstum bis weit ins nächste Jahrzehnt.