PhotoMOS-Relais AQV209G

Die Ansprüche in Industrie-Technologien an Leistung, Effizienz und Ausfallsicherheit der notwendigen ­Komponenten sind so hoch wie nie. Das PhotoMOS-Relais AQV209G hält diesen Ansprüchen stand. (Bild: ©peshkov - stock.adobe.com / Hüthig)

Der jüngste Zuwachs der PhotoMOS-Familie von Panasonic an Halbleiter-Relais übertrifft bei der Schaltleistung seinen Vorgänger um nicht weniger als das Zehnfache. Durch die intelligente Kombination aus bewährter Technologie und dem Einsatz aktueller Materialien sowie galvanischer Trennung zwischen Ein- und Ausgang kann das optisch gekoppelte Halbleiterrelais bis zu 1200 V bei 0,75 A schalten. Mit unbegrenzter Lebensdauer ist es sowohl für AC- als auch für DC-Last geeignet.

Ungeachtet dieser Leistungssteigerung findet das AQV209G immer noch im kompakten Standard-DIP6-Pin-Gehäuse Platz (SMD und THT). Ermöglicht wird dies durch einen niedrigen Einschaltwiderstand von typischerweise 1,0 Ω und der damit verbundenen geringen Verlustleistung am Halbleiterausgang.

 

Kenndaten des AQV209G

 PhotoMOS-Relais AQV209G von Panasonic
(Bild: Panasonic)
  • Galvanische Trennung: optisch
  • Schaltleistung: maximal 1200 V bei 0,75 A
  • Gehäuse: DIP6
  • Einschaltwiderstand: 1,0 Ω (typisch)
  • Betriebstemperaturbereich: -40 bis +85 °C
  • Einschaltzeit: 0,5 ms
  • Ausschaltzeit: 0,05 ms

Das Relais ist ein Ersatz für viele herkömmliche Reed-Relais-Anwendungen oder für quecksilberhaltige elektromagnetische Schalter. Aufgrund seiner leisen, schnellen und prellfreien Schaltungscharakteristika empfiehlt es sich für eine Vielzahl an aktuellen Industrieanwendungen, Prüf- und Messgeräten, Steuerungen und I/O-Modulen. Die Verlustleistungen liegen bei 120 mW (Pin), bei 600 mW (Pout) und insgesamt bei 650 mW (Pt). Der Betriebstemperaturbereich des Halbleiterrelais reicht von -40 °C bis +85 °C. Der Off-state-Leckstrom beträgt 1 µA, die typische Einschaltzeit des Relais liegt bei 0,5 ms, die typische Ausschaltzeit bei 0,05 ms.

MOSFET-Relais bestehen im Eingangskreis aus einer GaAs-LED, die Licht im Infrarotbereich emittiert. Mit einem halbtransparenten Isolator vom Eingangskreis getrennt, wandelt ein gekoppeltes Feld aus Solarzellen das Licht in eine elektrische Spannung um.

Was sind PhotoMOS-Relais?

Die Panasonic PhotoMOS Relais sind Halbleiterrelais mit MOSFET-Technologie und zeichnen sich durch niedrigen Abschaltableitstrom und einen stabilen On-Widerstand über die Lebensdauer der Bauteile aus. Diese Relais verfügen über niedrige CxR/Werte, eine hohe optische Isolation zwischen dem Ein- und Ausgang und sowohl DC als auch AD-/DC-Nennlasten. Zu den Funktionen zählen schnelle Schaltzeiten, lange Lebensdauer und hohe Vibrations- und Stoßfestigkeit ohne Lichtbögen, Prellung und Schaltgeräusche. Panasonic PhotoMOS Relais sind in 4-, 6-, 8- und 16-Pin-Gehäusen erhältlich. Zu den Anwendungsbereichen zählen: Mess- und Prüftechnik, Messgeräte, Sicherheitssysteme. Medizintechnik, Datenkommunikation, Anwendungen für die Automobilindustrie, Bahn- und Verkehrssignalanlagen, Industriemaschinen.

Zu den weiteren Vertretern der Halbleiterrelais gehört unter anderem das Ultra-Miniature-MOSFET-Relais Low CxR im TSON-Gehäuse. Diese Relais sind besonders hinsichtlich der Kapazität und des Widerstands der Output-Transitoren optimiert. Im Unterschied zu anderen PhotoMOS-Relais erfolgt die galvanische Trennung hier kapazitiv und nicht optisch. Dies bietet Vorteile in punkto Bauteilgröße, Temperaturbereich und Schaltzeiten. Der Betriebstemperaturbereich dieser Relais erstreckt sich auf bis zu +105 °C. Der Strombedarf liegt typischerweise bei 0,2 mA, und der Eingang lässt sich direkt mit Spannungen von typisch 3 bis 5 V betreiben. Ein serieller Widerstand ist daher nicht mehr notwendig.

Themenreihe: Hidden Champions der Elektronik

Hidden Champions
(Bild: Hüthig)

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