Patentkrieg: Innoscience verklagt Infineon nun auch in China

Die bereits angespannte juristische Auseinandersetzung zwischen Infineon und Innoscience um Galliumnitrid-Technologie (GaN) eskaliert weiter. Nachdem Infineon seine Klage in den USA jüngst auf insgesamt vier Patente ausgeweitet hatte, schlägt Innoscience nun zurück und hat seinerseits in China eine Patentklage gegen Infineon eingereicht.

Die Klage wurde beim Mittleren Volksgericht Suzhou in der Provinz Jiangsu gegen Infineon Technologies (China) Co., Ltd., Infineon Technologies (Wuxi) Co., Ltd. sowie den chinesischen Distributor Suzhou Xinwoko Electronic Technology Co., Ltd. eingereicht.

Laut Innoscience geht es dabei um die Verletzung zweier chinesischer Patente:

Patentnummer 202311774650.7 – betrifft ein GaN-Leistungsbauelement und dessen Herstellungsverfahren
Patentnummer 202211387983.X – bezieht sich auf ein nitridbasiertes Halbleiterbauelement und dessen Fertigungsmethode

Innoscience: Infineon verkauft und bewirbt patentverletzende Produkte

Innoscience wirft Infineon vor, patentverletzende Produkte auf dem chinesischen Markt anzubieten, zu bewerben und zu importieren, ohne eine entsprechende Genehmigung einzuholen. Besonders im Fokus steht die Infineon-Webseite für den chinesischen Markt, auf der laut Innoscience verschiedene GaN-Halbleiterprodukte angeboten werden, die innerhalb des Schutzbereichs der genannten Patente liegen.

„Nach technischem Vergleich ist der Kläger der Ansicht, dass die in der Klage genannten Produkte in den Schutzbereich der betroffenen Patente fallen. Die drei Beklagten haben ohne die Genehmigung des Klägers die infrage stehenden Produkte verkauft, beworben und importiert, was eine Verletzung der Patente darstellt. Nach dem Gesetz sollten sie dafür haften, die Verstöße beenden und Schadensersatz leisten“, so Innoscience in seiner offiziellen Stellungnahme.

Infineon wehrt sich gegen die Vorwürfe

Infineon bestreitet die Anschuldigungen entschieden und hat am 22. Januar 2025 Anträge auf Abweisung der Klagen eingereicht. Das Unternehmen erklärte: „Wir nehmen die Klage von Innoscience zur Kenntnis, weisen jedoch die Vorwürfe zurück. Infineon entwickelt seine eigenen Produkte und besitzt eigene geistige Eigentumsrechte sowie Patente. Die Beschwerden von Innoscience enthalten keine überzeugenden Beweise für eine Patentverletzung.“ Infineon will sich „mit aller Entschlossenheit“ gegen die Klage verteidigen.

Patentstreit eskaliert international

Der Rechtsstreit zwischen Infineon und Innoscience nimmt damit eine neue Dimension an. Während Infineon in den USA seine Patentklage erheblich ausgeweitet hat, geht Innoscience nun in China in die Offensive. Dies zeigt, dass der Konflikt nicht auf eine einzige Jurisdiktion beschränkt bleibt und möglicherweise noch weitere Klagen in anderen Märkten folgen könnten.

Wie die Gerichte in den USA und China entscheiden, könnte weitreichende Folgen für die Zukunft der GaN-Halbleiterindustrie haben.

Update vom 24.7.2024: Patentstreit um Galliumnitrid eskaliert: Infineon erweitert US-Klage gegen Innoscience auf vier Patente

Infineon hat seine Klage gegen Innoscience geändert, jedoch nicht nur, um die angeblichen Mängel der ursprünglichen Klageschrift zu beheben, die der Abweisungsantrag von Innoscience aufgeworfen hatte. Darüber hinaus hat Infineon drei weitere Patente hinzugefügt und somit die Anzahl der betroffenen Patente vervierfacht. Infineon lässt in der geänderten Klage wenig Zweifel an seiner Entschlossenheit, diesen Streit zu gewinnen. Laut ip fray wäre es nicht überraschend, wenn Infineon auch in anderen Jurisdiktionen, insbesondere in Deutschland – wo das Unternehmen seinen Hauptsitz hat weitere Patente geltend macht. Obwohl die ursprüngliche US-Klage von einer österreichischen Tochtergesellschaft eingereicht wurde, die nun von einer US-Tochtergesellschaft unterstützt wird. Die Wahl des Northern District of California durch Infineon bleibt interessant, da viele andere Patentinhaber diesen Distrikt vermeiden.

Um diese 4 Patente geht es:

• U.S. Patent No. 9,899,481 (“Electric component and switch circuit”: dies war das einzige Patent, das in der ursprünglichen Beschwerde geltend gemacht wurde und das durch eine IPR-Petition des PTAB angefochten wird, die Innoscience am 14. Juni 2024 eingereicht hat; das Patent, das der jüngsten deutschen einstweiligen Verfügung zugrunde lag, stammt aus derselben Patentfamilie)
• U.S. Patent No. 8,686,562 (“Refractory metal nitride capped electrical contact and method for frabricating same”)
• U.S. Patent No. 9,070,755 (“Transistor having elevated drain finger termination”)
• U.S. Patent No. 8,264,003 (“Merged cascode transistor”)

Neben Infineon wirft auch EPC dem chinesischen Unternehmen vor, mehrere ihrer Patente verletzt zu haben. Die Hauptpunkte der Klage umfassen:

• Patentverletzung: EPC behauptet, dass Innoscience verschiedene GaN-Chip-Patente von EPC verletzt hat.
• Know-how-Übernahme: Laut EPC hat Innoscience im Jahr 2017 zwei ehemalige EPC-Mitarbeiter in Schlüsselpositionen eingestellt, kurz bevor Innoscience Produkte auf den Markt brachte, die denen von EPC sehr ähnlich sind.
• Produktähnlichkeit: EPC gibt an, dass die Produkte von Innoscience hinsichtlich wichtiger Leistungskennzahlen nahezu identisch mit den eigenen Produkten sind.
• Kompatibilitätsansprüche: Innoscience soll in Marketingkampagnen kommuniziert haben, dass viele ihrer Produkte mit denen von EPC kompatibel seien.

Innoscience hat diese Vorwürfe entschieden zurückgewiesen und bezeichnet die Anschuldigungen als völlig haltlos. Das Unternehmen zweifelt an den Motiven und Zielen der Klage und betrachtet das Vorgehen von EPC als unlauteren Wettbewerb.

26.6.2024: Innoscience beantragt Aufhebung des Patents von Infineon

Innoscience Technology hat beim US-Patentamt (USPTO; US Patent and Trademark Office) ein Inter-Partes-Review (IPR) der Gültigkeit des US-Patents Nr. 9.899.481 („481-Patent“) der Infineon Technologies Austria AG („Infineon“) beantragt. Ein IPR ist ein Verfahren im US-Patentrecht. Es wurde 2011 eingeführt. Es ermöglicht Dritten, die Gültigkeit eines erteilten US-Patents vor dem Patent Trial and Appeal Board (PTAB) anzufechten. Das IPR-Verfahren ist ein wichtiges Instrument zur Überprüfung von Patenten und wird häufig von Technologieunternehmen genutzt, um sich gegen überbewertete oder schwache Patente zu wehren. Es ist jedoch auch umstritten, da es die Position von Patentinhabern schwächen kann. In der von Innoscience am 14. Juni 2024 eingereichten IPR wird das USPTO aufgefordert, alle Ansprüche des 481-Patents als ungültig zu erklären.

Diese IPR ist laut Unternehmen nur eine Reaktion auf die jüngsten Patentklagen von Infineon. Das 481-Patent ist das einzige Patent, das Infineon am 13. März 2024 im Northern District of California im Rahmen einer Patentverletzungsklage gegen Innoscience geltend gemacht hat. Infineon hat kürzlich auch beim Landgericht München Klage eingereicht und dabei das deutsche Gegenstück zum 481-Patent sowie zwei weitere deutsche Patente geltend gemacht.

Von großer Bedeutung sei, dass die Klagen nur einen kleinen Teil der GaN-Transistoren von Innoscience betreffen und nicht die Mehrheit der zahlreichen Produkte des Unternehmens. Außerdem haben die Klagen laut Pressemeldung keinerlei Auswirkungen auf die derzeitige Geschäftsfähigkeit von Innoscience, seine Produkte herzustellen, zu verwenden, zu verkaufen oder für Kunden zu importieren, bis es zu einer Entscheidung kommt, die je nach Zeitrahmen der Verfahren erst in einigen Monaten (oder möglicherweise sogar Jahren) ergehen wird.

Darüber hinaus weist Innoscience alle von Infineon vorgebrachten Vorwürfe zur Patentverletzung ausdrücklich zurück und ist der Ansicht, dass die geltend gemachten Patente u. a. aufgrund der vorgebrachten geistigen Eigentumsrechte (IP) ungültig sind. Infineon behauptet, dass das 481-Patent bestimmte wesentliche Innovationen von GaN-Leistungshalbleitern abdeckt, aber diese Behauptungen seien unbegründet. Stattdessen beziehe sich das Patent ausschließlich auf die Chip-Gehäuse und deren Design, das in der Halbleiterindustrie seit langem bekannt ist und verwendet wird (z. B. QFN-Gehäuse).

Die IPR von Innoscience gegen das 481-Patent von Infineon enthält sieben Verweise auf den Stand der Technik und 13 Gründe für die Ungültigkeit, die durch zusätzliche Beweise und Expertenaussagen untermauert werden sollen. Diese sollen laut Innoscience belegen, dass alle 17 Ansprüche des 481-Patents ungültig sind. Anspruch 1 des 481-Patents, der einzige Anspruch, der im Rechtsstreit im Northern District of California geltend gemacht wurde, wird unabhängig aus zwei Gründen als offensichtlich angefochten: ein Grund belegt, dass der gesamte Anspruch 1 durch eine einzige Referenz zum Stand der Technik offengelegt oder offensichtlich gemacht wird. Ein anderer Grund belegt, dass der gesamte Anspruch 1 durch die Kombination von zwei Verweisen auf den Stand der Technik offensichtlich gemacht wird.

Innoscience ist zuversichtlich, dass das USPTO das 481-Patent von Infineon für ungültig erklären wird. Dessen Aufhebung würde alle Patentverletzungsvorwürfe von Infineon im Northern District of California hinfällig machen und den Rechtsstreit in den USA beenden. Innoscience plant, die Ungültigkeit der drei geltend gemachten deutschen Patente anzustreben, und ist sich sicher, auch hier zu obsiegen.

25.3.2023: Innoscience nimmt Stellung zur Klage von Infineon

Innoscience Technology weist die Anschuldigungen, die Infineon Technologies Austria AG in einer kürzlich eingereichten Patentverletzungsklage gegen drei Innoscience-Unternehmen erhoben hat, entschieden zurück. Infineon reichte die Klage am 13. März 2024 bei einem US-Bezirksgericht in Kalifornien ein und machte ein einziges US-Patent geltend. Innoscience bestreitet die von Infineon behauptete Patentverletzung sowie die Gültigkeit des Infineon-Patents. Innoscience werde laut Stellungnahme "energisch dagegen vorgehen und ist zuversichtlich, den Prozess zu gewinnen."

Die Absicht von Infineon in diesem Rechtsstreit sei fraglich, da ein Patent geltend gemacht wird, das erhebliche Mängel aufweist. Selbst eine oberflächliche Überprüfung von Infineons Patentportfolio zeige, dass die angebliche „Erfindung“ des geltend gemachten Patents bereits in Infineons eigenen früheren Patenten zum Stand der Technik offengelegt wurde. Daher liege der Verdacht nahe, dass Infineon das US-Patent- und Markenamt getäuscht haben könnte, weil es während der Verfolgung des geltend gemachten fehlerhaften Patents keine ordnungsgemäße Offenlegung vorgenommen hat.

Entgegen Infineons Darstellung, dass die Ansprüche des geltend gemachten fehlerhaften Patents „Kernaspekte von GaN-Leistungshalbleitern abdecken“, betrifft die Klage nur einen kleinen Teil der in Gehäusen ausgelieferten High-Voltage-GaN-Transistoren (650-700V) von Innoscience und nicht die große Mehrzahl der anderen Produkte (einschließlich Transistor-Dies und Wafer, Low-Voltage-Transistoren und bestimmte Transistoren in Gehäusen). Daher dürfe der Rechtsstreit nur geringe oder gar keine Auswirkungen auf die derzeitigen Möglichkeiten von Innoscience haben, seine Produkte für Kunden zu fertigen, zum Verkauf anzubieten oder in die USA zu importieren.

14.03.2023: Infineon verklagt Innoscience wegen Patentverletzung

Infineon Technologies hat über die Tochtergesellschaft Infineon Technologies Austria in den USA Klage gegen Innoscience (Zhuhai) Technology Company und Innoscience America sowie verbundene Unternehmen erhoben. Das Unternehmen macht unter anderem einen Unterlassungsanspruch wegen der Verletzung eines US-Patents geltend, das die von Infineon patentierte Galliumnitrid-Technologie (GaN) zum Gegenstand hat. Die Patentansprüche beziehen sich auf wesentliche Eigenschaften von GaN-Leistungshalbleitern und umfassen Innovationen, die die Zuverlässigkeit und die Leistungsfähigkeit der von Infineon entwickelten Bauelemente gewährleisten. Die Klage wurde beim Bezirksgericht im Northern District of California eingereicht.

Infineon wirft Innoscience vor, das genannte Patent durch die Herstellung, den Gebrauch, das Anbieten, den Verkauf und/oder den Import in die USA von verschiedenen Produkten zu verletzen, darunter GaN-Transistoren für Anwendungen in der Automobilindustrie, in Rechenzentren, in Solar-Anwendungen, bei Antrieben, in der Unterhaltungselektronik sowie bei verwandten Produkten für den Einsatz in Automotive-, Industrie- und kommerziellen Applikationen.