Elektronik-Entwicklung

Elektronik-Entwicklung

Praxisnahe Design-Unterstützung für Elektronik-Entwickler: von den Bauelementen (Halbleiter, passiv, Sensoren) über Stromversorgungen, Opto, Displays, E-Mechanik etc. bis zu Messtechnik, Software und Embedded – stets mit Blick auf Safety & Security sowie auf Lösungen für (über)morgen!

Fokusthema Quantencomputer

Als im Juni 2021 der erste Quantencomputer in Deutschland von IBM eingeweiht wurde, war das Interesse groß. Aber was verbirgt sich hinter der Technologie? Was kann sie eines Tages leisten, woran wird geforscht und wo lauern Gefahren? Das erfahren Sie hier.

Elektronik-Entwicklung

16. Jan. 2019 | 12:41 Uhr
C5D 1700V-SiC-Schottky-Diode
Nennstromstärken von 5A, 10A, 25A und 50A

Wolfspeed verbessert SiC-Dioden für Hochspannungsanwendungen

Das Unternehmen der Cree-Gruppe präsentiert seine fünfte Generation von C5D-1700V-SiC-Schottky-Dioden für erneuerbare Energie und Elektrofahrzeuge.Weiterlesen...

15. Jan. 2019 | 09:00 Uhr
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Das Environmental-Case-System ECS

Robuste Outdoor-Gehäuse trotzen Umwelteinflüssen

Bezogen auf den Betrieb von Industrieelektronik ist jeder Service-Einsatz im Gelände mit Kosten verbunden, die die reinen Gerätekosten um ein Vielfaches übersteigen können. Die robusten Outdoor-Gehäuse der Serie ECS von Phoenix Contact eignen sich gut, um empfindliche Elektronik im Innen- und Außeneinsatz vor Staub, Schmutz und Wasser zu schützen.Weiterlesen...

14. Jan. 2019 | 14:46 Uhr
VCSEL-Diode von Osram
850 nm oder 940 nm Wellenlänge

Vertical-Cavity-Surface-Emitting-Laser für 3D-Sensing

Osram Opto Semiconductors erweitert seine Bidos-Produktgruppe um die VCSEL-Dioden PLPVCQ 850 und PLPVCQ 940.Weiterlesen...

11. Jan. 2019 | 16:02 Uhr
Der TC78H653FTG für Low-Voltage-Antriebe von Toshiba.
Spannungen von 1,8 bis 7 V

H-Brücken-Treiber-IC für Antriebe

Der in Toshibas firmeneigenem DMOS-Prozess für Low-Voltage-Antriebe hergestellte duale H-Brücken-Treiber TC78H653FTG soll eine längere Batterielebensdauer bei stabilem Low-Voltage-Betrieb gewährleisten.Weiterlesen...

11. Jan. 2019 | 14:47 Uhr
Der Festkörper-Akku von FDK in SMD-Bauweise nutzt Lithium-Cobalt-Pyrophosphat als Kathodenmaterial und bringt es auf eine Energiedichte von 26 mWh/cm³.
SMD-Bauelement mit weitem Betriebstemperaturbereich

Oxid-basierter Festkörper-Akku mit hoher Energiedichte

FDK hat mit der Auslieferung erster Muster eines oxid-basierten Festkörper-Akkumulators in SMD-Bauform begonnen. Entwickelt wurde der Akku gemeinsam mit den Fujitsu Laboratories.Weiterlesen...

10. Jan. 2019 | 13:36 Uhr
TVS-Dioden zum Schutz gegen elektrostatische Entladunegn
Konform zu drei Industriestandards

Würth erweitert sein Portfolio an TVS-Dioden

Die schwer entflammbaren (UL 94 V-0) Dioden verfügen über eine ESD-Spannungsfestigkeit mit bis zu +/- 30 kV Kontaktentladung und entsprechen den Industriestandards IEC 61000-4-2 (ESD), IEC 61000-4-4 (EFT) sowie IEC 61000-4-5 (Surge).Weiterlesen...

10. Jan. 2019 | 13:21 Uhr
Der Einstellbereich der Ausgangsspannung liegt bei dem PKB4216HDPI zwichen 40 und 55 VDC. DC/DC
Wirkungsgrad von 94,5 % möglich

DC/DC-Wandler für Hochfrequenz-Leistungsverstärker

Der Anbieter Flex erweitert seine DC/DC-Wandlerserien um den PKB4216HDPI. Dieser eignet sich für den Telekommunikationsmarkt und für Hochspannung-LDMOS-Anwendungen.Weiterlesen...

10. Jan. 2019 | 10:47 Uhr
Huawei stellt die Server-CPU Kunpeng 920 vor.
ARM-Anwendungsszenarien

Huawei stellt leistungsstarke ARM-basierte CPU vor

Der chinesische Konzern hat eine neue CPU mit dem Namen Kunpeng 920 konzipiert, um die Entwicklung von Computern für die Verarbeitung von großen Datenmengen zu fördern. Huawei plant, in diesem Bereich mit anderen Unternehmen zusammenzuarbeiten, um die ARM-Branche voranzubringen.Weiterlesen...

09. Jan. 2019 | 13:43 Uhr
Bild 1: Der verschachtelte 60-kW-Aufwärtswandler von Wolfspeed mit 4 Treiber-Boards arbeitet mit einem SiC-MOSFET (1200 V, 75 mΩ).
Haltbarkeit trotz Feuchtigkeit

TBH-80 eignet sich für reelle Prüfung von SiC-Bauelementen für Solarwechselrichter

Ingenieure, die Hochspannungs- und Hochfrequenz-Solarwechselrichter entwerfen, sehen sich mit einem Problem bei der Systementwicklung konfrontiert: Wie lassen sich die gewünschte Leistungsdichte als auch die Haltbarkeit bei feuchten Außenumgebungen erzielen? Der Beitrag zeigt, wie verbesserte SiC-MOSFETs und -Dioden es ermöglichen, die Vorteile des Wide-Bandgap-Halbleiters auch unter extremen Umgebungsbedingungen zu nutzen.Weiterlesen...

09. Jan. 2019 | 13:00 Uhr
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Raus aus dem Gehäuse

IP67-Taster und Schalter mit M12-Anschluss

Bei der Bestückung dezentraler Bedienfelder mit Tastern, Funktionsschaltern, Not-Halt-Tasten oder Signalleuchten entfällt ein großer Teil der Kosten auf die Verdrahtung und die Schaltkästen. Eine einfach installierbare Alternative hat die Firma Rafi mit ihren Stand-alone-Bedienkomponenten entwickelt.Weiterlesen...